VISHAY SILICONIX
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SQM120N04-1M7L-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-013-2014-Rev-1 17/Mar/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 剪切带（CT） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 120A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.7 毫欧 @ 30A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 285nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 14606pF @ 20V 功率-最大值: 375W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装: TO-263 其它名称: SQM120N04-1M7L-GE3-ND
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-013-2014-Rev-1 17/Mar/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 剪切带（CT） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 120A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.7 毫欧 @ 30A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 285nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 14606pF @ 20V 功率-最大值: 375W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装: TO-263 其它名称: SQM120N04-1M7L-GE3-ND
SQM200N04-1M1L-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-006-2015-Rev-1 03/Mar/2015 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 200A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.1 毫欧 @ 30A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 413nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 20655pF @ 25V 功率-最大值: 375W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片） 供应商器件封装: TO-263-7
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-006-2015-Rev-1 03/Mar/2015 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 200A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.1 毫欧 @ 30A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 413nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 20655pF @ 25V 功率-最大值: 375W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片） 供应商器件封装: TO-263-7
SQ4946AEY-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
PCN组件/产地: SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 阵列 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: 2 个 N 沟道（双） FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 750pF @ 25V 功率-最大值: 4W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
PCN组件/产地: SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 阵列 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: 2 个 N 沟道（双） FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 40 毫欧 @ 4.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 750pF @ 25V 功率-最大值: 4W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
SQ4410EY-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 15A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12 毫欧 @ 10A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 53nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2385pF @ 25V 功率-最大值: 5W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 15A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12 毫欧 @ 10A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 53nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2385pF @ 25V 功率-最大值: 5W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
SQ4470EY-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-006-2015-Rev-1 03/Mar/2015 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12 毫欧 @ 6A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 68nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 3165pF @ 25V 功率-最大值: 7.1W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-006-2015-Rev-1 03/Mar/2015 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12 毫欧 @ 6A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 68nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 3165pF @ 25V 功率-最大值: 7.1W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
SQ4401EY-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 17.3A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14 毫欧 @ 10.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 115nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 4250pF @ 20V 功率-最大值: 7.14W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 17.3A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14 毫欧 @ 10.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 115nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 4250pF @ 20V 功率-最大值: 7.14W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
SISA12DN-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: Digi-Reel® FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 25A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.3 毫欧 @ 10A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 45nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2070pF @ 15V 功率-最大值: 28W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 其它名称: SISA12DN-T1-GE3DKRSISA12DNT1GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: Digi-Reel® FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 25A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.3 毫欧 @ 10A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 45nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2070pF @ 15V 功率-最大值: 28W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 其它名称: SISA12DN-T1-GE3DKRSISA12DNT1GE3
DG441LDJ
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
类别: 集成电路（IC） 家庭: 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 管件 开关电路: SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路: 1:1 电路数: 4 导通电阻（最大值）: 30 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）: 100 毫欧 电压- 电源，单（V+）: 2.7 V ~ 12 V 电压-电源，双（V±）: ±3 V ~ 6 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）: 60ns，35ns -3db带宽: 280MHz 电荷注入: 5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））: 5pF，6pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）: 1nA 串扰: -95dB @ 1MHz 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-DIP
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
类别: 集成电路（IC） 家庭: 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 管件 开关电路: SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路: 1:1 电路数: 4 导通电阻（最大值）: 30 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）: 100 毫欧 电压- 电源，单（V+）: 2.7 V ~ 12 V 电压-电源，双（V±）: ±3 V ~ 6 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）: 60ns，35ns -3db带宽: 280MHz 电荷注入: 5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））: 5pF，6pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）: 1nA 串扰: -95dB @ 1MHz 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-DIP
2N5546JTXL01
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - JFET
描述: JFET N-CH 50V TO-71
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: - 工作温度: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-71-6 供应商器件封装: TO-71 基本产品编号: 2N5546
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - JFET
描述: JFET N-CH 50V TO-71
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: - 工作温度: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-71-6 供应商器件封装: TO-71 基本产品编号: 2N5546
2N4860JTX02
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - JFET
Categories: 分立半导体产品 制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 管件 零件状态: 上次购买时间 FET类型: - 电压-击穿（V（BR）GSS）: - 漏源极电压（Vdss）: - 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）: - 漏极电流（Id）-最大值: - 不同Id时的电压-截止（VGS关）: - 不同Vds时的输入电容（Ciss）: - 电阻-RDS（开）: - 功率-最大值: - 工作温度: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装: TO-206AA（TO-18）
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - JFET
Categories: 分立半导体产品 制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 管件 零件状态: 上次购买时间 FET类型: - 电压-击穿（V（BR）GSS）: - 漏源极电压（Vdss）: - 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）: - 漏极电流（Id）-最大值: - 不同Id时的电压-截止（VGS关）: - 不同Vds时的输入电容（Ciss）: - 电阻-RDS（开）: - 功率-最大值: - 工作温度: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装: TO-206AA（TO-18）