物料参数
| 制造商: | ON Semiconductor |
| 系列: | - |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 24A（Ta），150A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2，1毫欧 @ 23A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 120µA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2，2W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-PQFN（3.3x3.3） |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 43.6 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2745 pF @ 20 V |
| 基本产品编号: | NTTFS2 |