发货周期: 3-10 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
AMSEM

库存:2712
包装:50
50: ¥0.0686
500: ¥0.0668
3000: ¥0.0660
6000: ¥0.0651
MMBT5551 三极管(BJT)
ANBON

二极管配置:独立式 稳压值(标称值):6.2V 稳压值(范围):5.8V~6.6V 功率:500mW

库存:45
包装:1
1: ¥0.1185
MMBT5551 三极管(BJT)
ANBON

二极管配置:独立式 稳压值(标称值):6.2V 稳压值(范围):5.8V~6.6V 功率:500mW

库存:47
包装:1
1: ¥0.1192
ANBON SEMI

库存:110
包装:20
20: ¥0.1615
200: ¥0.1330
600: ¥0.1174
3000: ¥0.0924
9000: ¥0.0846
21000: ¥0.0803
MMBT5551 未分类

集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V ransistors,NPN 180V 600mA 300mW HFE=100~300,SOT-23

库存:4541
包装:1
310: ¥0.2214
1500: ¥0.1384
3000: ¥0.1145
MMBT5551 未分类

集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V ransistors,NPN 180V 600mA 300mW HFE=100~300,SOT-23

库存:227
包装:1
1: ¥0.0818
MMBT5551 未分类

集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V ransistors,NPN 180V 600mA 300mW HFE=100~300,SOT-23

库存:238
包装:1
1: ¥0.0841
CBI-ELECTRIC GROUP

库存:146659
包装:50
50: ¥0.0919
500: ¥0.0746
3000: ¥0.0555
6000: ¥0.0494
24000: ¥0.0451
51000: ¥0.0425
MMBT5551 三极管(BJT)
CJ

晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,5V G1 H档200-300 NPN,Vceo=160V,Ic=600mA,hfe=200~300

库存:0
包装:1
1: ¥0.1036
MMBT5551 通用三极管
DIOS

封装/外壳:SOT-23

库存:2671
包装:1
MMBT5551 三极管(BJT)
DIOTEC

晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V

库存:7
包装:1
1: ¥0.2051
ELECSUPER ELECTRONICS

库存:47247
包装:20
20: ¥0.1095
200: ¥0.0836
600: ¥0.0698
3000: ¥0.0612
9000: ¥0.0534
21000: ¥0.0500
FOJAN

库存:30042
包装:50
50: ¥0.0781
500: ¥0.0624
3000: ¥0.0546
6000: ¥0.0486
24000: ¥0.0451
51000: ¥0.0425
MMBT5551 通用三极管
FOSAN

封装/外壳:SOT-23

库存:131760
包装:1
MMBT5551 通用三极管
FOSAN

封装/外壳:SOT-23

库存:27655
包装:50
50: ¥0.0629
500: ¥0.0505
3000: ¥0.0436
6000: ¥0.0394
24000: ¥0.0358
51000: ¥0.0339
FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO LTD

库存:3007
包装:50
50: ¥0.1181
500: ¥0.0955
3000: ¥0.0782
6000: ¥0.0703
24000: ¥0.0643
51000: ¥0.0599
MMBT5551 三极管(BJT)
FUXINSEMI

耐压:160V 电流:600mA NPN (L档) 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):160V 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V (L档)

库存:36172
包装:50
50: ¥0.0682
500: ¥0.0553
3000: ¥0.0435
6000: ¥0.0392
24000: ¥0.0355
51000: ¥0.0334
FUXINSEMI

库存:41152
包装:50
50: ¥0.0833
500: ¥0.0677
3000: ¥0.0538
6000: ¥0.0477
24000: ¥0.0434
51000: ¥0.0408
MMBT5551 三极管(BJT)
GOODWORK
DataSheet

晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V

库存:3979
包装:3000
1: ¥0.0410
100: ¥0.0379
1000: ¥0.0352
MMBT5551 三极管(BJT)
GOODWORK
DataSheet

晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V

库存:3857
包装:1
1: ¥0.0408
100: ¥0.0377
1000: ¥0.0350
GOODWORK SEMICONDUCTOR CO LTD

库存:258523
包装:50
50: ¥0.0953
500: ¥0.0788
3000: ¥0.0563
6000: ¥0.0511
30000: ¥0.0459
45000: ¥0.0433
GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO LTD

库存:19
包装:20
20: ¥0.1778
200: ¥0.1440
600: ¥0.1258
3000: ¥0.1032
9000: ¥0.0937
21000: ¥0.0885
MMBT5551 通用三极管
HXY MOSFET

晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 集电极截止电流(Icbo):50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@10mA,5V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj)

库存:158652
包装:1
IDCHIP

库存:2848
包装:20
20: ¥0.0634
200: ¥0.0556
600: ¥0.0512
3000: ¥0.0443
9000: ¥0.0426
21000: ¥0.0408
JIANGSU HIGH DIODE SEMICONDUCTOR CO LTD

库存:3004
包装:50
50: ¥0.1535
500: ¥0.1242
3000: ¥0.0992
6000: ¥0.0897
24000: ¥0.0811
51000: ¥0.0768
MMBT5551 通用三极管
JINGDAO
DataSheet

封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:300mW 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:160V 集电极连续电流:600mA

库存:0
包装:1
MMBT5551 通用三极管
JSCJ

封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:300mW 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:160V 集电极连续电流:600mA

库存:155412
包装:3000
3000: ¥0.1058
MMBT5551 三极管(BJT)
JSMSEMI

适用于高压、中等电流环境下的线性放大与开关电路设计,是电子设备和工业控制的理想半导体器件。

库存:48
包装:1
1: ¥0.1272
MMBT5551 三极管(BJT)
JSMSEMI

适用于高压、中等电流环境下的线性放大与开关电路设计,是电子设备和工业控制的理想半导体器件。

库存:485070
包装:50
50: ¥0.0505
500: ¥0.0402
3000: ¥0.0337
6000: ¥0.0303
24000: ¥0.0273
45000: ¥0.0257
MMBT5551 三极管(BJT)
JSMSEMI

适用于高压、中等电流环境下的线性放大与开关电路设计,是电子设备和工业控制的理想半导体器件。

库存:47
包装:1
1: ¥0.1295
JSMSEMI

库存:150067
包装:50
50: ¥0.0608
500: ¥0.0486
3000: ¥0.0399
6000: ¥0.0356
24000: ¥0.0330
45000: ¥0.0313
LANGJIE

库存:2798
包装:50
50: ¥0.1050
500: ¥0.0842
3000: ¥0.0720
6000: ¥0.0651
24000: ¥0.0590
51000: ¥0.0555
LGE

库存:2881
包装:20
20: ¥0.1606
200: ¥0.1286
600: ¥0.1114
3000: ¥0.0889
9000: ¥0.0794
21000: ¥0.0751
MMBT5551 场效应管(MOSFET)

晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V (100-200) NPN

库存:382
包装:1
1: ¥0.0905
MMBT5551 场效应管(MOSFET)

晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V (100-200) NPN

库存:379
包装:1
1: ¥0.0922
MDD (MICRODIODE ELECTRONICS)

库存:50325
包装:50
50: ¥0.0944
500: ¥0.0762
3000: ¥0.0589
6000: ¥0.0528
24000: ¥0.0468
51000: ¥0.0442
MMBT5551 通用三极管
MSKSEMI

封装/外壳:SOT-23

库存:25992
包装:3000
3000: ¥0.0508
MMBT5551 通用三极管
MSV

库存:0
包装:1
NTE ELECTRONICS INC

库存:0
包装:1
MMBT5551 通用三极管
ON SEMICONDUCTOR

MMBT5551 Series 160 V CE Breakdown 0.6 A NPN General Purpose Amplifier - SOT-23

库存:804
包装:1
1: ¥0.1038
500: ¥0.1030
MMBT5551 通用三极管
ON SEMICONDUCTOR

MMBT5551 Series 160 V CE Breakdown 0.6 A NPN General Purpose Amplifier - SOT-23

库存:121791
包装:1
1: ¥0.1038
500: ¥0.1029
1000: ¥0.0936
3000: ¥0.0851
9000: ¥0.0808
15000: ¥0.0766
ONSEMI

库存:605
包装:12000
12000: ¥0.2767
ONSEMI

库存:0
包装:100
100: ¥0.6873
250: ¥0.6337
500: ¥0.6284
1000: ¥0.3308
5000: ¥0.2644
ONSEMI

库存:0
包装:5
5: ¥1.7126
25: ¥1.6805
100: ¥0.6872
250: ¥0.6337
500: ¥0.6283
1000: ¥0.3308
5000: ¥0.2644
PANJIT

库存:316
包装:1
1: ¥0.1178
PANJIT

库存:322
包装:1
1: ¥0.1181
PJSEMI

库存:1051
包装:50
50: ¥0.1234
500: ¥0.0992
3000: ¥0.0837
6000: ¥0.0751
24000: ¥0.0682
51000: ¥0.0647
SHENZHEN JINKAISHENG ELECTRONICS CO LTD

库存:661
包装:50
50: ¥0.1309
500: ¥0.1040
3000: ¥0.0893
6000: ¥0.0806
24000: ¥0.0728
51000: ¥0.0685
MMBT5551 场效应管(MOSFET)
SHIKUES

封装/外壳:SOT-23

库存:108673
包装:1
MMBT5551 场效应管(MOSFET)
SHIKUES

封装/外壳:SOT-23

库存:2477
包装:3000
1: ¥0.0726
100: ¥0.0622
MMBT5551 场效应管(MOSFET)
SHIKUES

封装/外壳:SOT-23

库存:2512
包装:1
1: ¥0.0727
100: ¥0.0623
SHIKUES SEMICONDUCTOR

库存:1176
包装:50
50: ¥0.0945
500: ¥0.0763
3000: ¥0.0633
6000: ¥0.0572
24000: ¥0.0520
51000: ¥0.0494
SLKOR

库存:14986
包装:50
50: ¥0.0901
500: ¥0.0719
3000: ¥0.0598
6000: ¥0.0537
24000: ¥0.0485
51000: ¥0.0459
MMBT5551 场效应管(MOSFET)
SLKOR(萨科微)

库存:9
包装:1
1: ¥0.0451
MMBT5551 未分类
ST

晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V NPN

库存:9
包装:1
1: ¥0.1215
2: ¥0.1118
4: ¥0.1026
MMBT5551 通用三极管

封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:300mW 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:160V 集电极连续电流:600mA

库存:25560
包装:3000
3000: ¥0.0636
TWGMC

库存:109293
包装:50
50: ¥0.1054
500: ¥0.0855
3000: ¥0.0674
6000: ¥0.0613
24000: ¥0.0553
51000: ¥0.0527
MMBT5551 场效应管(MOSFET)

SOT-23 塑封晶体管 NPN 160V 600mA

库存:103968
包装:3000
3000: ¥0.0712
MMBT5551 场效应管(MOSFET)

SOT-23 塑封晶体管 NPN 160V 600mA

库存:276
包装:1
1: ¥0.0621
MMBT5551 场效应管(MOSFET)

SOT-23 塑封晶体管 NPN 160V 600mA

库存:281
包装:1
1: ¥0.0622
UMW

库存:16891
包装:50
50: ¥0.1200
500: ¥0.0958
3000: ¥0.0717
6000: ¥0.0639
24000: ¥0.0561
51000: ¥0.0527
WEI PAN MICROELECTRONICS

库存:7448
包装:50
50: ¥0.1003
500: ¥0.0813
3000: ¥0.0657
6000: ¥0.0596
24000: ¥0.0536
51000: ¥0.0510
MMBT5551 三极管(BJT)
YANGJIE
DataSheet

晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V NPN 160V 600mA

库存:43
包装:1
1: ¥0.1067
MMBT5551 三极管(BJT)
YANGJIE
DataSheet

晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V NPN 160V 600mA

库存:42
包装:1
1: ¥0.1088
MMBT5551 通用三极管
YFW

封装/外壳:SOT-23

库存:7738
包装:1
MMBT5551 通用三极管
YONGYUTAI
DataSheet

封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:300mW 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:160V 集电极连续电流:600mA

库存:254520
包装:3000
3000: ¥0.0795
MMBT5551 场效应管(MOSFET)
晶导微电子

二极管配置:独立式 稳压值(标称值):6.2V 稳压值(范围):5.8V~6.6V 功率:500mW

库存:9
包装:1
1: ¥0.1061
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
ANBON

库存:50
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 16:31
1: ¥0.1127
BORN

库存:250
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 16:36
1: ¥0.0794
CJ

库存:2580
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 16:47
1: ¥0.0667
CJ

库存:2860
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 16:47
1: ¥0.1059
100: ¥0.0961
1000: ¥0.0873
CJ

库存:0
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 16:48
1: ¥0.0980
DIODES INCORPORATED

库存:2043
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 17:02
1: ¥0.0912
100: ¥0.0853
DIOTEC

库存:7
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 17:09
1: ¥0.1941
GOODWORK

库存:4254
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 17:30
1: ¥0.0388
100: ¥0.0359
1000: ¥0.0333
JSMSEMI

库存:50
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 18:21
1: ¥0.1225
MCC

库存:4230
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 19:01
1: ¥0.0980
500: ¥0.0892
1500: ¥0.0843
MMBT5551 场效应管(MOSFET)
MDD

库存:402
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 19:01
1: ¥0.0872
MMBT5551LT1G 场效应管(MOSFET)
ON SEMICONDUCTOR

高电压 NPN 双极晶体管

库存:5719
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 20:06
1: ¥0.1176
100: ¥0.1098
MMBT5551M3T5G 场效应管(MOSFET)
ON SEMICONDUCTOR

高电压 NPN 双极晶体管

库存:2559
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 20:13
1: ¥0.2284
100: ¥0.2137
PANJIT

库存:340
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 20:27
1: ¥0.1117
MMBT5551 场效应管(MOSFET)
SHIKUES

库存:2620
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 21:30
1: ¥0.0686
100: ¥0.0588
MMBT5551 场效应管(MOSFET)
SLKOR(萨科微)

库存:10
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月6日 21:35
1: ¥0.0428
MMBT5551 场效应管(MOSFET)
UMW

SOT-23 塑封晶体管 NPN 160V 600mA

库存:296
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月7日 00:13
1: ¥0.0588
UTC

库存:1067
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月7日 00:15
1: ¥0.1298
YANGJIE

库存:45
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月7日 00:46
1: ¥0.1029
MMBT5551 场效应管(MOSFET)
晶导微电子

库存:10
包装:1
商户: 北京京北通宇电子元件有限公司
更新时间: 2024年5月7日 00:56
1: ¥0.1010
发货周期: 6-10 工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
ANBON SEMI

库存:4118
包装:1
1: ¥0.9882
10: ¥0.6753
100: ¥0.3656
500: ¥0.2874
1000: ¥0.1996
ANBON SEMI

库存:0
包装:1
1: ¥0.9858
10: ¥0.6736
100: ¥0.3647
500: ¥0.2867
1000: ¥0.1991
ANBON SEMI

库存:55118
包装:1
1: ¥0.9900
10: ¥0.6765
100: ¥0.3663
500: ¥0.2879
1000: ¥0.2000
3000: ¥0.1657
6000: ¥0.1567
9000: ¥0.1333
30000: ¥0.1233
75000: ¥0.1067
150000: ¥0.0887
ANBON SEMI

库存:51000
包装:3000
3000: ¥0.1649
6000: ¥0.1560
9000: ¥0.1327
30000: ¥0.1228
75000: ¥0.1062
150000: ¥0.0883
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

库存:841
包装:1
1: ¥1.1543
10: ¥0.8328
100: ¥0.4485
500: ¥0.3526
1000: ¥0.2448
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

库存:0
包装:1
1: ¥1.1504
10: ¥0.8299
100: ¥0.4470
500: ¥0.3514
1000: ¥0.2440
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

库存:841
包装:1
1: ¥1.1555
10: ¥0.8336
100: ¥0.4490
500: ¥0.3529
1000: ¥0.2450
3000: ¥0.2030
6000: ¥0.1920
9000: ¥0.1634
30000: ¥0.1511
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150000: ¥0.1086
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

库存:0
包装:3000
3000: ¥0.2022
6000: ¥0.1912
9000: ¥0.1627
30000: ¥0.1505
75000: ¥0.1302
150000: ¥0.1081
EVVO SEMICONDUCTOR

库存:0
包装:1
EVVO SEMICONDUCTOR

库存:0
包装:1
1: ¥1.2343
10: ¥0.8476
100: ¥0.4575
500: ¥0.3591
1000: ¥0.2493
EVVO SEMICONDUCTOR

库存:0
包装:1
1: ¥1.2344
10: ¥0.8476
100: ¥0.4576
500: ¥0.3591
1000: ¥0.2494
EVVO SEMICONDUCTOR

库存:0
包装:3000
3000: ¥0.2065
6000: ¥0.1953
9000: ¥0.1662
30000: ¥0.1538
75000: ¥0.1330
150000: ¥0.1105
EVVO SEMICONDUCTOR

库存:0
包装:1
1: ¥1.2316
10: ¥0.8457
100: ¥0.4565
500: ¥0.3583
1000: ¥0.2488
3000: ¥0.2061
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75000: ¥0.1327
150000: ¥0.1103
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

库存:215211
包装:8435
8435: ¥0.3297
HY ELECTRONIC CORP

库存:3000
包装:5
5: ¥463.0812
100: ¥385.9010
1000: ¥308.7208
HY ELECTRONIC CORP

库存:3000
包装:5
5: ¥463.0812
100: ¥385.9010
1000: ¥308.7208
MDD

库存:504000
包装:1
MDD

库存:504000
包装:12000
12000: ¥0.3993
NEXTGEN COMPONENTS

库存:420000
包装:12000
12000: ¥0.4003
NTE ELECTRONICS INC

库存:2432
包装:50
50: ¥1.6533
100: ¥1.5706
150: ¥1.4880
200: ¥1.4053
250: ¥1.3722
ONSEMI

库存:0
包装:1
ONSEMI

库存:0
包装:1
1: ¥2.2262
ONSEMI

库存:0
包装:1
ROCHESTER ELECTRONICS LLC

库存:215211
包装:8435
8435: ¥0.3304
SUZHOU GOOD-ARK ELECTRONICS CO LTD

库存:5470
包装:1
1: ¥0.9886
10: ¥0.6756
100: ¥0.3658
500: ¥0.2875
1000: ¥0.1997
SUZHOU GOOD-ARK ELECTRONICS CO LTD

库存:0
包装:1
1: ¥0.9927
10: ¥0.6783
100: ¥0.3673
500: ¥0.2887
1000: ¥0.2005
发货周期: 5-10 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

库存:5894
包装:1
1: ¥0.9139
10: ¥0.6896
100: ¥0.5816
500: ¥0.4570
1000: ¥0.3988
3000: ¥0.3074
9000: ¥0.1994
24000: ¥0.1911
45000: ¥0.1579
RECTRON SEMICONDUCTOR

库存:0
包装:3000
3000: ¥0.4180
24000: ¥0.3846
45000: ¥0.3762
发货周期: 7-10 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
ONSEMI

库存:597000
包装:1
发货周期: 7-10 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

库存:129000
包装:3000
3000: ¥0.1496
12000: ¥0.1163
27000: ¥0.1147
51000: ¥0.1113
102000: ¥0.1047
252000: ¥0.0980
501000: ¥0.0956
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

库存:129000
包装:3000
3000: ¥0.1502
6000: ¥0.1252
9000: ¥0.1227
27000: ¥0.1168
51000: ¥0.1118
102000: ¥0.1051
252000: ¥0.0985
501000: ¥0.0960
NTE ELECTRONICS INC

库存:3008
包装:100
100: ¥1.9049
1000: ¥1.5877
2500: ¥1.4874
5000: ¥1.4220
7500: ¥1.3798
25000: ¥1.3226
50000: ¥1.3028
100000: ¥1.2837
发货周期: 5-11 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

库存:102000
包装:3000
3000: ¥0.1692
9000: ¥0.1440
24000: ¥0.1338
45000: ¥0.0960
发货周期: 3-10 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
ONSEMI

库存:0
包装:100
100: ¥0.5740
250: ¥0.4100
500: ¥0.3280
5000: ¥0.2460
ONSEMI

库存:0
包装:5
5: ¥1.3120
25: ¥0.8200
100: ¥0.5740
250: ¥0.4100
500: ¥0.3280
5000: ¥0.2460
发货周期: 7-14 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

库存:414108
包装:1
1: ¥0.2944
25: ¥0.2886
100: ¥0.2763
500: ¥0.2649
1000: ¥0.2501
发货周期: 7-10 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

库存:1972
包装:1
1: ¥1.7523
201: ¥0.5841
1001: ¥0.1752
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

库存:86
包装:1
1: ¥0.6400
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

库存:1063
包装:1
1: ¥3.3519
45: ¥1.5090
388: ¥1.0056
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

库存:5999
包装:1
1: ¥1.6007
92: ¥0.7209
812: ¥0.4802
MOTOROLA SEMICONDUCTOR PRODUCTS

库存:127
包装:1
1: ¥0.6299
92: ¥0.4724
SAMSUNG SEMICONDUCTOR

库存:4800
包装:1
1: ¥1.7412
201: ¥0.5804
1001: ¥0.3482
TAITRON COMPONENTS INC

库存:693
包装:1
1: ¥0.6353
92: ¥0.4765
244: ¥0.3976
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
GUANGDONG HOTTECH INDUSTRRIAL CO

库存:0
包装:1
1: ¥0.0820
100: ¥0.0738
500: ¥0.0656
1000: ¥0.0492
3000: ¥0.0410
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
库存 / 包装 / 其它 价格
MFG UPON REQUEST

库存:118330
包装:1