HT100NF80ASZ

制造商: HTCSEMI 供应商:

分类: 场效应管(MOSFET)

描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：173W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,37.5A 80V/100A N沟道平面工艺MOSFET，具有高雪崩能量