UTC

UTT10NP06G-S08-R
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
安装类型: SMT 品牌: UTC 功率耗散: 2W 阈值电压: 3V 原始制造商: Unisonic Technology Co., Ltd. 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 36mΩ 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 3.6A,4.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP-8 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 1.5nF Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型

4N65KG-TN3-R
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：34W
安装类型: SMT 品牌: UTC 击穿电压: 650 功率耗散: 50W 原始制造商: Unisonic Technology Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): - 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±30 反向传输电容Crss: 5 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 670pF Vgs(Max): ±30 漏源电压(Vdss): 650V 晶体管类型: N沟道

LR3965G-25-AA3-D-R
供应商: Anychip Mall
分类: IC

UF830L-TF3-T
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)

LR1107G-33-AB3-C-R
供应商: Anychip Mall
分类: 低压差线性稳压(LDO)

UTT24N06G-TN3-R
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

2SK508G-K53-AE3-R
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)

10N80L-TF2-T
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)

5N50L-TF3-T
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)

MC3361BPG-S16-R
供应商: Anychip Mall
分类: 2.4G无线芯片
描述: 低压/功率窄带调频中频 SOP16
安装类型: SMT 品牌: UTC 电源电压: 2.5V~7V 原始制造商: Unisonic Technology Co., Ltd. 产品状态: Active 长x宽/尺寸: - 封装/外壳: SOIC16_150MIL 元件生命周期: Active 工作温度: -20℃~+70℃ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 认证信息: RoHS 高度: - 包装类型: Tape/Reel 灵敏度: -3dB 应用: 消费者 引脚数: 16Pin