4N65KG-TN3-R
品牌
UTC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：34W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 650 |
| 功率耗散: | 50W |
| 原始制造商: | Unisonic Technology Co., Ltd. |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | - |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±30 |
| 反向传输电容Crss: | 5 |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | 670pF |
| Vgs(Max): | ±30 |
| 最小包装: | 2500pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 650V |
| 晶体管类型: | N沟道 |