ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC
Alpha and Omega Semiconductor is committed to excellence in design, manufacturing, and responsiveness to our customers through the continued development of new technologies, products and innovative solutions.
商品列表
AON7452
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 2.5A/5.5A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SDMOS™ 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A（Ta），5.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 310 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.7V @ 250µA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），17W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 185 pF @ 50 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 2.5A/5.5A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SDMOS™ 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A（Ta），5.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 310 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.7V @ 250µA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），17W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 185 pF @ 50 V
AOI4144_002
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 13A/55A TO251A
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SDMOS™ 包装: 散装 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta），55A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.3W（Ta），50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-251A 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1430 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 13A/55A TO251A
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SDMOS™ 包装: 散装 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta），55A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.3W（Ta），50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-251A 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1430 pF @ 15 V
AON7460
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 300V 1.2A/4A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.2A（Ta），4A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 830 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），33W（Tc） 工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 300 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.2 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 380 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 300V 1.2A/4A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.2A（Ta），4A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 830 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），33W（Tc） 工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 300 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.2 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 380 pF @ 25 V
AO4616L_102
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A，7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 888pF @ 15V 功率 - 最大值: 2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A，7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 888pF @ 15V 功率 - 最大值: 2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
AOB15S60L
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 15A TO263
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: aMOS™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 208W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.6 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 717 pF @ 100 V 基本产品编号: AOB15S60
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 15A TO263
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: aMOS™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 208W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.6 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 717 pF @ 100 V 基本产品编号: AOB15S60
AOI4N60
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 104W（Tc） TO-251A
类别: 分立半导体产品 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.3 欧姆 @ 2A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 14.5nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 640pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 104W（Tc） 工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-251A 封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 104W（Tc） TO-251A
类别: 分立半导体产品 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.3 欧姆 @ 2A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 14.5nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 640pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 104W（Tc） 工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-251A 封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak
AOWF12N60
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 28W（Tc）
类别: 分立半导体产品 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 12A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 550 毫欧 @ 6A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 50nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2100pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 28W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-262-3 整包，I²Pak
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 28W（Tc）
类别: 分立半导体产品 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 12A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 550 毫欧 @ 6A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 50nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2100pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 28W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-262-3 整包，I²Pak
AO4485
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
Vgs(th)(Max)@Id: 2.5V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 4.5V, 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 55 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: 8-SOIC BaseProductNumber: AO44 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 10A (Ta) Vgs(Max): ±20V Mfr: Alpha & Omega Semiconductor Inc. PowerDissipation(Max): 1.7W (Ta) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 40 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Package/Case: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 3000 pF @ 20 V Series: - FETType: P-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0095
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
Vgs(th)(Max)@Id: 2.5V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 4.5V, 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 55 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: 8-SOIC BaseProductNumber: AO44 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 10A (Ta) Vgs(Max): ±20V Mfr: Alpha & Omega Semiconductor Inc. PowerDissipation(Max): 1.7W (Ta) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 40 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Package/Case: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 3000 pF @ 20 V Series: - FETType: P-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0095
AO4423L
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停产 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.2 毫欧 @ 15A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 250µA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOIC 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 57 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3033 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停产 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.2 毫欧 @ 15A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 250µA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOIC 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 57 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3033 pF @ 15 V