MDD
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SMAJ10CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=400W，VRM=10.0V，VBR=11.1～12.3V，VC=17.0V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: MDD 功率-峰值脉冲: 400W 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 存储温度: -65~+150℃ 反向断态电压: 10V 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 23.5A 系列: SMAJ 额定电压-DC: 10V 通道数: 1 最小包装: 2000pcs 认证信息: RoHS 高度: 2.42mm 击穿电压 -min: 10V 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=400W，VRM=10.0V，VBR=11.1～12.3V，VC=17.0V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: MDD 功率-峰值脉冲: 400W 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 存储温度: -65~+150℃ 反向断态电压: 10V 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 23.5A 系列: SMAJ 额定电压-DC: 10V 通道数: 1 最小包装: 2000pcs 认证信息: RoHS 高度: 2.42mm 击穿电压 -min: 10V 引脚数: 2Pin
DB207
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 VRM=1000 IF=2.0A VF=1.1V IR=10uA
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tube packing 印字代码: MDD DB207 正向压降VF: 1.1V 封装/外壳: DB_8.51X6.5MM_TM 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: DB 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1KV 应用等级: Industrial 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 2A 最小包装: 50pcs 认证信息: RoHS 应用: 通用 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 VRM=1000 IF=2.0A VF=1.1V IR=10uA
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tube packing 印字代码: MDD DB207 正向压降VF: 1.1V 封装/外壳: DB_8.51X6.5MM_TM 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: DB 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1KV 应用等级: Industrial 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 2A 最小包装: 50pcs 认证信息: RoHS 应用: 通用 引脚数: 4Pin
SMCJ58A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=1500W，VRM=58V，VBR=64.4～71.2V，VC=93.6V
安装类型: SMT 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 功率-峰值脉冲: 1.5KW 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 7.11 x 6.22mm 反向断态电压: 58V 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 16.1A 系列: SMCJ 原产国家: China 额定电压-DC: 58V 认证信息: RoHS 高度: 2.62mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 58V 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=1500W，VRM=58V，VBR=64.4～71.2V，VC=93.6V
安装类型: SMT 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 功率-峰值脉冲: 1.5KW 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 7.11 x 6.22mm 反向断态电压: 58V 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 16.1A 系列: SMCJ 原产国家: China 额定电压-DC: 58V 认证信息: RoHS 高度: 2.62mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 58V 引脚数: 2Pin
MMBZ18VAL
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: Bi PD=40W VRWM=14.5V VBR=18V VC=25V IPP=1.6A IR=0.05uA CJ=-PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
安装类型: SMT 钳位电压: 25V 是否无铅: Yes 品牌: MDD 功率-峰值脉冲: 40W 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 1.6A 系列: MMBZxxxAL 额定电压-DC: 18V 击穿电压Max: 18.9V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.40mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 18V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: Bi PD=40W VRWM=14.5V VBR=18V VC=25V IPP=1.6A IR=0.05uA CJ=-PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
安装类型: SMT 钳位电压: 25V 是否无铅: Yes 品牌: MDD 功率-峰值脉冲: 40W 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 1.6A 系列: MMBZxxxAL 额定电压-DC: 18V 击穿电压Max: 18.9V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.40mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 18V
SMCJ6.5CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：6.5V 击穿电压：7.22V 最大钳位电压：11.2V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 系列: SMCJ5.0A(CA) - SMCJ440A(CA) 极性（单双向）: 双向 通道数: 1 工作电压VR-VI(max): 6.5V 击穿电压 V(BR)-min: 7.22V 钳位电压 VC: 11.2V 峰值脉冲电流（Ipp）: 134A 峰值脉冲功率: 1500W 工作温度: -65°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SMC(DO-214AB)
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：6.5V 击穿电压：7.22V 最大钳位电压：11.2V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 系列: SMCJ5.0A(CA) - SMCJ440A(CA) 极性（单双向）: 双向 通道数: 1 工作电压VR-VI(max): 6.5V 击穿电压 V(BR)-min: 7.22V 钳位电压 VC: 11.2V 峰值脉冲电流（Ipp）: 134A 峰值脉冲功率: 1500W 工作温度: -65°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SMC(DO-214AB)
SS210-SMB
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR=100V IF=2A 180pF
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: MDD 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.57 x 3.94mm 反向漏电流IR: 5mA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 2A 反向耐压VR（最大值）: 100V 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 850mV 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin 应用: 消费级
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR=100V IF=2A 180pF
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: MDD 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.57 x 3.94mm 反向漏电流IR: 5mA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 2A 反向耐压VR（最大值）: 100V 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 850mV 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin 应用: 消费级
SR340
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR=40V IF=3A VF=0.55V IR=500uA
二极管配置: 单路 安装类型: 插件 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 80A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 550mV 反向漏电流IR: 20mA 封装/外壳: DO-27(DO-201AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 最小包装: 200pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 550mV 零件状态: Active 结电容: 250pF 应用: 通用
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR=40V IF=3A VF=0.55V IR=500uA
二极管配置: 单路 安装类型: 插件 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 80A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 550mV 反向漏电流IR: 20mA 封装/外壳: DO-27(DO-201AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 最小包装: 200pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 550mV 零件状态: Active 结电容: 250pF 应用: 通用
BZT52C3V6
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: PD=500mW，VF=0.9V，VZ=3.6V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 3.6V 品牌: MDD Izt-测试电流: 5mA 原始制造商: Microdiode Electronics (Shenzhen) Co., Lt 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: SOD-123 工作温度: +150℃(TJ) 基准电压的容限率: 6% 功率（最大值）: 500mW 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 900mV 容差: ±5% 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: PD=500mW，VF=0.9V，VZ=3.6V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 3.6V 品牌: MDD Izt-测试电流: 5mA 原始制造商: Microdiode Electronics (Shenzhen) Co., Lt 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: SOD-123 工作温度: +150℃(TJ) 基准电压的容限率: 6% 功率（最大值）: 500mW 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 900mV 容差: ±5% 引脚数: 2Pin
SS56F
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 VR=60V IF=5A VF=0.70V IR=500uA
安装类型: SMT 品牌: MDD 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 150A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 封装/外壳: SMAF(DO-214AD) 反向漏电流IR: 20mA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 5A 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 700mV 高度: 1.30mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 VR=60V IF=5A VF=0.70V IR=500uA
安装类型: SMT 品牌: MDD 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 150A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm 封装/外壳: SMAF(DO-214AD) 反向漏电流IR: 20mA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 5A 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 700mV 高度: 1.30mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
SS36-SMA
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 VR=60V IF=3A VF=0.70V IR=500uA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 500µA 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 3A 反向恢复时间(trr): - 结电容: 300pF 高度: 2.20mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 VR=60V IF=3A VF=0.70V IR=500uA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 500µA 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 60V 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 3A 反向恢复时间(trr): - 结电容: 300pF 高度: 2.20mm 零件状态: Active 应用: 消费级 引脚数: 2Pin