MDD
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SMAJ48CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=400W，VRM=48V，VBR=53.3～58.9V，VC=77.4V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.2A 系列: SMAJ 原产国家: China 额定电压-DC: 48V 最小包装: 2000pcs 通道数: 1 高度: 2.42mm 击穿电压 -min: 48V 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=400W，VRM=48V，VBR=53.3～58.9V，VC=77.4V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.2A 系列: SMAJ 原产国家: China 额定电压-DC: 48V 最小包装: 2000pcs 通道数: 1 高度: 2.42mm 击穿电压 -min: 48V 引脚数: 2Pin
SMBJ54CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=600W，VRM=54V，VBR=60.0～66.3V，VC=87.1V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 功率-峰值脉冲: 600W 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 6.9A 系列: SMBJ 原产国家: China 额定电压-DC: 54V 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 高度: 2.44mm 击穿电压 -min: 54V 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=600W，VRM=54V，VBR=60.0～66.3V，VC=87.1V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: MDD 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 功率-峰值脉冲: 600W 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 6.9A 系列: SMBJ 原产国家: China 额定电压-DC: 54V 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 高度: 2.44mm 击穿电压 -min: 54V 引脚数: 2Pin
B340A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR=40V IF=3A VF=0.55V IR=500uA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 正向电流: 3A 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 100A 包装: Tape/Reel 印字代码: MDD B340A 正向压降VF: 550mV 存储温度: -50~+150℃ 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 500nA 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+125℃(TJ) 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 最小包装: 2000pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 550mV 结电容: 500pF
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR=40V IF=3A VF=0.55V IR=500uA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 正向电流: 3A 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 100A 包装: Tape/Reel 印字代码: MDD B340A 正向压降VF: 550mV 存储温度: -50~+150℃ 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 500nA 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+125℃(TJ) 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 最小包装: 2000pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 550mV 结电容: 500pF
AO3400
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=1.5W
安装类型: SMT 品牌: MDD 阈值电压: 1.2V 额定功率: 1.5W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -50℃~+150℃ 充电电量: 6.2nC 原产国家: China 输入电容: 490pF Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.2nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=1.5W
安装类型: SMT 品牌: MDD 阈值电压: 1.2V 额定功率: 1.5W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -50℃~+150℃ 充电电量: 6.2nC 原产国家: China 输入电容: 490pF Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.2nC 高度: 1.12mm 晶体管类型: N沟道
SMBJ70A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=600W，VRM=70V，VBR=77.8～86.0V，VC=113V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压: 113V 功率-峰值脉冲: 600W 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 4.57 x 3.94mm 存储温度: -65~+150℃ 反向断态电压: 70V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.3A 原产国家: China 额定电压-DC: 70V 最小包装: 3000pcs 高度: 2.44mm 击穿电压 -min: 77.8V 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=600W，VRM=70V，VBR=77.8～86.0V，VC=113V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压: 113V 功率-峰值脉冲: 600W 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 4.57 x 3.94mm 存储温度: -65~+150℃ 反向断态电压: 70V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.3A 原产国家: China 额定电压-DC: 70V 最小包装: 3000pcs 高度: 2.44mm 击穿电压 -min: 77.8V 引脚数: 2Pin
2W10
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=2.0A，VF=1.0V，IR=10uA
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: MDD 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 50A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 1V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: WOM 反向漏电流IR: - 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: - 平均整流电流: 2A 最小包装: 1000pcs 认证信息: RoHS 正向压降VF Max: 1V 高度: 5.50mm 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=2.0A，VF=1.0V，IR=10uA
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: MDD 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 50A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Box packing 正向压降VF: 1V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: WOM 反向漏电流IR: - 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: - 平均整流电流: 2A 最小包装: 1000pcs 认证信息: RoHS 正向压降VF Max: 1V 高度: 5.50mm 引脚数: 4Pin
DSK34
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 VR=40V IF=3A VF=0.55V IR=500uA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 包装: Tape/Reel 印字代码: K34 正向压降VF: 550mV 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.60 x 1.70mm 反向漏电流IR: 500nA 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -50℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 反向耐压VR（最大值）: 40V 平均整流电流: 3A 反向恢复时间(trr): - 结电容: 250pF 高度: 1.10mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 VR=40V IF=3A VF=0.55V IR=500uA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 包装: Tape/Reel 印字代码: K34 正向压降VF: 550mV 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.60 x 1.70mm 反向漏电流IR: 500nA 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -50℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 反向耐压VR（最大值）: 40V 平均整流电流: 3A 反向恢复时间(trr): - 结电容: 250pF 高度: 1.10mm 引脚数: 2Pin
SMBJ20A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W，VRM=20V，VBR=22.2～24.5V，VC=32.4V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 极性: 单向 包装: Tape/Reel 最大反向工作电压: 20V 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 18.6A 系列: SMBJ 原产国家: China 额定电压-DC: 20V 功率（最大值）: 600W 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 高度: 2.44mm 击穿电压 -min: 20V 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W，VRM=20V，VBR=22.2～24.5V，VC=32.4V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 极性: 单向 包装: Tape/Reel 最大反向工作电压: 20V 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 18.6A 系列: SMBJ 原产国家: China 额定电压-DC: 20V 功率（最大值）: 600W 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 高度: 2.44mm 击穿电压 -min: 20V 引脚数: 2Pin
SMBJ10CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W，VRM=10.0V，VBR=11.1～12.3V，VC=17V
安装类型: SMT 钳位电压: 17V 品牌: MDD 功率-峰值脉冲: 600W 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 10V 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 35.3A 原产国家: China 额定电压-DC: 10V 高度: 2.44mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 10V 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W，VRM=10.0V，VBR=11.1～12.3V，VC=17V
安装类型: SMT 钳位电压: 17V 品牌: MDD 功率-峰值脉冲: 600W 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 10V 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 35.3A 原产国家: China 额定电压-DC: 10V 高度: 2.44mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 10V 引脚数: 2Pin
TB8S
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 VRM=800V,Io=1.0A,IFSM=30A,VF=0.95V,
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 正向电流: 1A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 950mV 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.40mm 反向击穿电压: 800V 封装/外壳: TBS_4.5X5.1MM 反向漏电流IR: 100mA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 800V 反向耐压VR: 800V 平均整流电流: 1A 认证信息: RoHS 正向压降VF Max: 950mV 高度: 1.30mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 VRM=800V,Io=1.0A,IFSM=30A,VF=0.95V,
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 正向电流: 1A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 950mV 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.40mm 反向击穿电压: 800V 封装/外壳: TBS_4.5X5.1MM 反向漏电流IR: 100mA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 800V 反向耐压VR: 800V 平均整流电流: 1A 认证信息: RoHS 正向压降VF Max: 950mV 高度: 1.30mm 零件状态: Active