MDD
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SMAJ48CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=400W，VRM=48V，VBR=53.3～58.9V，VC=77.4V
安装类型: SMT 钳位电压: 77.4V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 58.9V 功率-峰值脉冲: 400W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 反向断态电压: 48V 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: SMAJ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.2A 通道数: 1 高度: 2.42mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=400W，VRM=48V，VBR=53.3～58.9V，VC=77.4V
安装类型: SMT 钳位电压: 77.4V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 58.9V 功率-峰值脉冲: 400W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.80mm 反向断态电压: 48V 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: SMAJ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.2A 通道数: 1 高度: 2.42mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 类型: TVS
SMBJ54CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=600W，VRM=54V，VBR=60.0～66.3V，VC=87.1V
安装类型: SMT 钳位电压: 87.1V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 66.3V 功率-峰值脉冲: 600W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 54V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: SMBJ 峰值脉冲电流（Ipp）: 6.9A 通道数: 1 高度: 2.44mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=600W，VRM=54V，VBR=60.0～66.3V，VC=87.1V
安装类型: SMT 钳位电压: 87.1V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 66.3V 功率-峰值脉冲: 600W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 54V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: SMBJ 峰值脉冲电流（Ipp）: 6.9A 通道数: 1 高度: 2.44mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 类型: TVS
B340A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR=40V IF=3A VF=0.55V IR=500uA
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 正向电流: 3A 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 100A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 印字代码: MDD B340A 正向压降VF: 550mV 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 500nA 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+125℃(TJ) 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 最小包装: 2000pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 550mV
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: VR=40V IF=3A VF=0.55V IR=500uA
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 正向电流: 3A 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 100A 原始制造商: Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 印字代码: MDD B340A 正向压降VF: 550mV 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 500nA 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+125℃(TJ) 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 最小包装: 2000pcs 反向恢复时间(trr): - 正向压降VF Max: 550mV
AO3400
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=1.5W
安装类型: SMT 品牌: MDD 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 1.2V 包装: Tape/reel 原产地: China 连续漏极电流: 5A 存储温度: -50℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+150℃ Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.2nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=1.5W
安装类型: SMT 品牌: MDD 漏源电流(Idss): 1uA 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 1.2V 包装: Tape/reel 原产地: China 连续漏极电流: 5A 存储温度: -50℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+150℃ Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.2nC 高度: 1.12mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
SMBJ70A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=600W，VRM=70V，VBR=77.8～86.0V，VC=113V
安装类型: SMT 钳位电压: 113V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 86V 功率-峰值脉冲: 600W 极性: 单向 长x宽/尺寸: 4.57 x 3.94mm 反向断态电压: 70V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 系列: SMBJ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.3A 通道数: 1 高度: 2.44mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: PD=600W，VRM=70V，VBR=77.8～86.0V，VC=113V
安装类型: SMT 钳位电压: 113V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 86V 功率-峰值脉冲: 600W 极性: 单向 长x宽/尺寸: 4.57 x 3.94mm 反向断态电压: 70V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 系列: SMBJ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.3A 通道数: 1 高度: 2.44mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 类型: TVS
2W10
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=2.0A，VF=1.0V，IR=10uA
安装类型: 插件 反向漏电流IR: - 封装/外壳: WOM 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 50A 反向耐压VR: - 平均整流电流: 2A 高度: 5.50mm 零件状态: Active 正向压降VF: 1V 引脚数: 4Pin 长x宽/尺寸: Φ9.10 x 5.50mm
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=2.0A，VF=1.0V，IR=10uA
安装类型: 插件 反向漏电流IR: - 封装/外壳: WOM 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 50A 反向耐压VR: - 平均整流电流: 2A 高度: 5.50mm 零件状态: Active 正向压降VF: 1V 引脚数: 4Pin 长x宽/尺寸: Φ9.10 x 5.50mm
DSK34
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 40V 3A SOD-123FL
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 80A 正向压降VF: 550mV@3A 长x宽/尺寸: 2.60 x 1.70mm 反向漏电流IR: 500μA@40V 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 高度: 1.10mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 40V 3A SOD-123FL
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 80A 正向压降VF: 550mV@3A 长x宽/尺寸: 2.60 x 1.70mm 反向漏电流IR: 500μA@40V 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 3A 高度: 1.10mm 引脚数: 2Pin
SMBJ20A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W，VRM=20V，VBR=22.2～24.5V，VC=32.4V
安装类型: SMT 钳位电压: 32.4V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 24.5V 功率-峰值脉冲: 600W 极性: 单向 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 20V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: SMBJ 峰值脉冲电流（Ipp）: 18.6A 通道数: 1 高度: 2.44mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W，VRM=20V，VBR=22.2～24.5V，VC=32.4V
安装类型: SMT 钳位电压: 32.4V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 24.5V 功率-峰值脉冲: 600W 极性: 单向 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 20V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -65℃~+150℃ 系列: SMBJ 峰值脉冲电流（Ipp）: 18.6A 通道数: 1 高度: 2.44mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 类型: TVS
SMBJ10CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W，VRM=10.0V，VBR=11.1～12.3V，VC=17V
安装类型: SMT 钳位电压: 17V 反向漏电流 IR: 5μA 击穿电压: 12.3V 功率-峰值脉冲: 600W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 10V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 系列: SMBJ 峰值脉冲电流（Ipp）: 35.3A 通道数: 1 高度: 2.44mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W，VRM=10.0V，VBR=11.1～12.3V，VC=17V
安装类型: SMT 钳位电压: 17V 反向漏电流 IR: 5μA 击穿电压: 12.3V 功率-峰值脉冲: 600W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 反向断态电压: 10V 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 系列: SMBJ 峰值脉冲电流（Ipp）: 35.3A 通道数: 1 高度: 2.44mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 类型: TVS
TB8S
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 800V 1A TBS
安装类型: SMT 反向漏电流IR: 5μA@800V 封装/外壳: TBS 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 30A 反向耐压VR: 800V 平均整流电流: 1A 高度: 1.30mm 正向压降VF: 950mV@1A 反向击穿电压: 800V 引脚数: 4Pin 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.40mm
供应商: Anychip Mall
分类: 桥式整流器/整流桥
描述: 桥式整流器/整流桥 800V 1A TBS
安装类型: SMT 反向漏电流IR: 5μA@800V 封装/外壳: TBS 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 30A 反向耐压VR: 800V 平均整流电流: 1A 高度: 1.30mm 正向压降VF: 950mV@1A 反向击穿电压: 800V 引脚数: 4Pin 长x宽/尺寸: 5.00 x 4.40mm