KIA
商品列表
KIA840SB
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：100W TO263-3
安装类型: SMT 击穿电压: 500V 阈值电压: 3V 额定功率: 100W 原始制造商: Shenzhen KIA Semiconductor Technology Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 900mΩ@10V,4A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 500V 高度: 5.08mm 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：100W TO263-3
安装类型: SMT 击穿电压: 500V 阈值电压: 3V 额定功率: 100W 原始制造商: Shenzhen KIA Semiconductor Technology Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 900mΩ@10V,4A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): ±20V 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 500V 高度: 5.08mm 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
KCB3008A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,50A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,50A