PRISEMI

PESDNC2XD3V3B
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD VRWM=3.3V VBR(Min)=4V VC=10V IPP=6A Ppp=60W DFN0603-2L
安装类型: SMT 钳位电压: 10V 是否无铅: Yes 品牌: Prisemi 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co., Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 0.65 x 0.35mm 存储温度: -55℃~+150℃ 反向断态电压: 3.3V 封装/外壳: DFN0603-2L 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 6A 通道数: 1 最小包装: 10000pcs 高度: 0.35mm 结电容: 20pF 零件状态: Active 击穿电压 -min: 4V

PDTC143ZE
供应商: Anychip Mall
分类: 数字晶体管
描述: 电流:100mA 晶体管类型:1个NPN-预偏置 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V

PTVSHC3N24VUH
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件

PMM1W15
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 齐纳二极管 15V 1W 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):15V 稳压值(范围):14.2V~15.8V 功率:1W

SMAJ12CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：12V 击穿电压(最小值)：13.3V 击穿电压(最大值)：14.7V 反向漏电流(Ir)：1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：20.1A 最大钳位电压：19.9V

PNM523T30V01
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs SOT523 N-Channel
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 150mW 原始制造商: Shanghai Prisemi Electronics Co., Ltd. 无卤: Yes 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 100mA 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 封装/外壳: SOT523 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 5pF 输入电容(Ciss)(Max): 40pF 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7Ω 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道

PESDNC2FD8VB
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件

PESDUC2XD5VB
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件

PNMT8N1
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：500mΩ@4V,300mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@1mA N沟,20V,300mA,0.3Ω@4V 另含一个三极管

SMBJ16CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：16V 击穿电压：17.8V 最大钳位电压：26V