BLUE ROCKET
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BRMMSZ5228B
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: SOD-123 稳压二极管 3.9V IR:10µA 23Ω
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 稳压值(范围): 3.71V~4.1V 功率: 500mW 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm Zzt阻抗: 23Ω 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 标准稳压值: 3.9V 反向耐压VR: 1V 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 900mV 高度: 1.30mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: SOD-123 稳压二极管 3.9V IR:10µA 23Ω
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 稳压值(范围): 3.71V~4.1V 功率: 500mW 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm Zzt阻抗: 23Ω 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 标准稳压值: 3.9V 反向耐压VR: 1V 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 900mV 高度: 1.30mm 引脚数: 2Pin
FTB10F-10
供应商: Anychip Mall
分类: 整流桥
描述: 电压:1kV 电流:1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向浪涌电流(Ifsm):30A
供应商: Anychip Mall
分类: 整流桥
描述: 电压:1kV 电流:1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向浪涌电流(Ifsm):30A
S2MW
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 电压:1kV 电流:2A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.1V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 电压:1kV 电流:2A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.1V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A
BR50P06
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：115W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA 停产
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：115W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA 停产
MMBTA92
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：300V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：40@10mA,10V
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 300V 包装: Tape/reel 跃迁频率: 50MHz 集电极与基极之间电压 VCBO: 300V 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 300V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China 最小包装: 3000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 40 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V Vce饱和压降(Max): 500mV 零件状态: Active 高度: 1.30mm 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：300V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：40@10mA,10V
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 300V 包装: Tape/reel 跃迁频率: 50MHz 集电极与基极之间电压 VCBO: 300V 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 300V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China 最小包装: 3000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 40 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V Vce饱和压降(Max): 500mV 零件状态: Active 高度: 1.30mm 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
8050M-C
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 SOT23 NPN Vcbo=40V Ic=1.5A Pc=625mW
安装类型: SMT 功率耗散: 625mW 额定功率: 625mW 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集电极-基极电压（VCBO）: 40V Vce饱和压降: 280mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 25V 极性: NPN 跃迁频率: 190MHz 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 120~200 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 SOT23 NPN Vcbo=40V Ic=1.5A Pc=625mW
安装类型: SMT 功率耗散: 625mW 额定功率: 625mW 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集电极-基极电压（VCBO）: 40V Vce饱和压降: 280mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 25V 极性: NPN 跃迁频率: 190MHz 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 120~200 引脚数: 3Pin
IRFB3710
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：59A 功率(Pd)：160W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,35A 停产
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：59A 功率(Pd)：160W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,35A 停产