HUAYI

HY3410P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：285W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5mΩ@10V,70A

HYG065N07NS1B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：70V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：52nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.99nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：26pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

HY5208W
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HYG020N04NA1B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY3008B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,50A N沟道

HYG011N04LS1TA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-沟道 40V 320A TOLL
安装类型: SMT 阈值电压: 1.8V@250μA 额定功率: 250W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 0.9mΩ@10V,50A 极性: N-沟道 连续漏极电流: 320A 长x宽/尺寸: 9.90 x 10.38mm 封装/外壳: TOLL 反向传输电容Crss: 63pF@25V 工作温度: -55℃~+175℃(TJ) 输入电容: 5.87nF@25V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 44nC@4.5V 高度: 2.30mm 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道

HYD31015S
供应商: Anychip Mall
分类: 栅极驱动IC

HY3312B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：125V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：278W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,65A

HY4008B6
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY10P10D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)