HUAYI

HY1106S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：3.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道,60V,11A,13mΩ@10V

HYG101N10LA1D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY1720P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：64A 功率(Pd)：263W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,30A

HY3203C2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

HY3810B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY19P03D
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道
安装类型: SMT 功率耗散: 50W 阈值电压: 3V@250μA 额定功率: 50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,45A 极性: P-沟道 连续漏极电流: 90A 长x宽/尺寸: 6.82 x 6.24mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.30mm 类型: P沟道 引脚数: 3Pin

HY1904D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：72A 功率(Pd)：62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,36A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道 40V 72A，4.8mΩ导通电阻

HY3010P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：192W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,50A N沟道

HY4306P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：230A 功率(Pd)：258W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3mΩ@10V,115A

HY3008P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,50A