BORN
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PESD5V0L1BA-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 双向 5V 40A 600W SOD-323
安装类型: SMT 钳位电压: 15V 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1μA 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 40A 原产国家: China 额定电压-DC: 5V 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.00mm 结电容: 140pF@1MHz 击穿电压 -min: 6V 类型: ESD
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 双向 5V 40A 600W SOD-323
安装类型: SMT 钳位电压: 15V 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1μA 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 40A 原产国家: China 额定电压-DC: 5V 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 认证信息: RoHS 高度: 1.00mm 结电容: 140pF@1MHz 击穿电压 -min: 6V 类型: ESD
DSS210
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管SOD-123 VRRM=100V Io=2A IR=0.5mA
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Born 总电容C: 80pF 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 40A 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 反向漏电流IR: 500µA 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 2A 工作温度-结: -65°C~150°C 高度: 1.40mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管SOD-123 VRRM=100V Io=2A IR=0.5mA
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Born 总电容C: 80pF 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 40A 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 反向漏电流IR: 500µA 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 2A 工作温度-结: -65°C~150°C 高度: 1.40mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
SMD0603-035/06N
供应商: Anychip Mall
分类: PTC自恢复保险丝
描述: 6V 350mA 0603自恢复 最大电压:6V 最大电流:35A 保持电流:350mA 跳闸电流:750mA
安装类型: SMT 品牌: BORN 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 熔断电流: 750mA 包装: Tape/Reel 耗散功率（Max）: 500mW 额定电压DC: 6V 长x宽/尺寸: 1.85 x 1.05mm 封装/外壳: 0603 工作温度: -40℃~+85℃ 电阻-跳断后（R1）（最大值）: 1Ω 系列: SMD0603 最大工作电压: 6V 原产国家: China 跳闸动作电流（It）: 750mA 保持电流（Ih）: 350mA 电阻-初始（Ri）（最小值）: 200mΩ 熔断时间: 0.1sec 高度: 0.90mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: PTC自恢复保险丝
描述: 6V 350mA 0603自恢复 最大电压:6V 最大电流:35A 保持电流:350mA 跳闸电流:750mA
安装类型: SMT 品牌: BORN 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 熔断电流: 750mA 包装: Tape/Reel 耗散功率（Max）: 500mW 额定电压DC: 6V 长x宽/尺寸: 1.85 x 1.05mm 封装/外壳: 0603 工作温度: -40℃~+85℃ 电阻-跳断后（R1）（最大值）: 1Ω 系列: SMD0603 最大工作电压: 6V 原产国家: China 跳闸动作电流（It）: 750mA 保持电流（Ih）: 350mA 电阻-初始（Ri）（最小值）: 200mΩ 熔断时间: 0.1sec 高度: 0.90mm 零件状态: Active
SD05T1G-N
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: TVS(ESD)
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 电源电压: 5V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 反向断态电压: 5V 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 17A 原产国家: China 额定电压-DC: 5V 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 结电容: 120pF@1MHz 高度: 1.00mm 击穿电压 -min: 6V
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: TVS(ESD)
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 电源电压: 5V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 反向断态电压: 5V 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 17A 原产国家: China 额定电压-DC: 5V 最小包装: 3000pcs 通道数: 1 结电容: 120pF@1MHz 高度: 1.00mm 击穿电压 -min: 6V
PESD3V3S2UT-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管阵列SOT23 200pF VC=16V IPP=20A VRWM=3.3V Ppp=350W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1μA 击穿电压: 4V 电源电压: 3.3V 功率-峰值脉冲: 350W 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 20A 额定电压-DC: 3.3V 通道数: 2 结电容: 200pF@1MHz 高度: 1.15mm 击穿电压 -min: 4V 类型: ESD
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管阵列SOT23 200pF VC=16V IPP=20A VRWM=3.3V Ppp=350W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 0.1μA 击穿电压: 4V 电源电压: 3.3V 功率-峰值脉冲: 350W 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 20A 额定电压-DC: 3.3V 通道数: 2 结电容: 200pF@1MHz 高度: 1.15mm 击穿电压 -min: 4V 类型: ESD
SMFJ33A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 瞬态电压抑制器VC=53.3V IPP=3.8A SOD123FL
安装类型: SMT 钳位电压: 53.3V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 36.7V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 反向断态电压: 33V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 3.80A 原产国家: China 额定电压-DC: 33V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.40mm 击穿电压 -min: 36.7V 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 瞬态电压抑制器VC=53.3V IPP=3.8A SOD123FL
安装类型: SMT 钳位电压: 53.3V 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 36.7V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 反向断态电压: 33V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 3.80A 原产国家: China 额定电压-DC: 33V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.40mm 击穿电压 -min: 36.7V 类型: TVS
DSS14
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOD123FL塑料封装肖特基势垒整流器VRRM=40V Io=1A IR=0.5mA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: Born 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 25A 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 反向漏电流IR: 500µA 工作温度: -55℃~+125℃ 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 1A 工作温度-结: -55°C~125°C Vf正向峰值电压: 550mV 高度: 1.40mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOD123FL塑料封装肖特基势垒整流器VRRM=40V Io=1A IR=0.5mA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: Born 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 25A 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SMF(SOD-123FL) 反向漏电流IR: 500µA 工作温度: -55℃~+125℃ 二极管类型: 肖特基 反向峰值电压（最大值）: 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 1A 工作温度-结: -55°C~125°C Vf正向峰值电压: 550mV 高度: 1.40mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
GBLC12C-N
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管SOD323 1pF VC=28V IPP=10A
安装类型: SMT 钳位电压: 28V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 13.3V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 10A 原产国家: China 额定电压-DC: 12V 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 高度: 1.00mm 结电容: 1pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 13.3V 类型: ESD
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护二极管SOD323 1pF VC=28V IPP=10A
安装类型: SMT 钳位电压: 28V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 13.3V 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 10A 原产国家: China 额定电压-DC: 12V 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 高度: 1.00mm 结电容: 1pF@1MHz 零件状态: Active 击穿电压 -min: 13.3V 类型: ESD
SMFJ30CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=30V VBR(min)=33.3V VC=48.4V@IPP=4.1A SOD123FL
安装类型: SMT 钳位电压: 48.4V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 33.3V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 功率-峰值脉冲: 200W 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 反向断态电压: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 4.10A 额定电压-DC: 30V 击穿电压Max: 36.8V 高度: 1.40mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 33.3V 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=30V VBR(min)=33.3V VC=48.4V@IPP=4.1A SOD123FL
安装类型: SMT 钳位电压: 48.4V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 33.3V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 功率-峰值脉冲: 200W 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 3.00 x 2.00mm 反向断态电压: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 4.10A 额定电压-DC: 30V 击穿电压Max: 36.8V 高度: 1.40mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 33.3V 类型: TVS
ESD9B5.0ST5G-N
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: 静电TVS
安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 6V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 反向断态电压: 5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN-1006 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 额定电压-DC: 5V 最小包装: 10000pcs 结电容: 10pF 高度: 0.55mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6V 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: 静电TVS
安装类型: SMT 品牌: BORN 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 6V 原始制造商: BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 反向断态电压: 5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN-1006 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 额定电压-DC: 5V 最小包装: 10000pcs 结电容: 10pF 高度: 0.55mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 6V 类型: TVS