DOWO

SJD12C36L01
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=36V VBR(min)=40V VC=58.1V@IPP=3.44A SOD123
安装类型: SMT 品牌: DOWO 功率-峰值脉冲: 1KW 原始制造商: DOWOSEMI Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD123 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3.44A 系列: SJD12 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 40V 击穿电压Max: 44.2V 认证信息: RoHS 高度: 1.30mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin

5.0SMDJ22A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：22V 击穿电压：24.4V 最大钳位电压：35.5V

P4KE15CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：12.8V 击穿电压(最小值)：14.25V 击穿电压(最大值)：15.75V 反向漏电流(Ir)：1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：18.87A 最大钳位电压：21.2V VBR=14.25V,Vc=21.2V,Ipp=18.87A

SI2302
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.3A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：4nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：300pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：80pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

P6KE30A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：25.6V 击穿电压：28.5V 最大钳位电压：41.4V

SMAJ12A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：12V 击穿电压：13.3V 最大钳位电压：19.9V

5.0SMDJ400CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：400V 击穿电压(最小值)：447V 击穿电压(最大值)：494V 反向漏电流(Ir)：5μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：7.72A 最大钳位电压：648V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs：5000W

P6KE200CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：171V 击穿电压：190V 最大钳位电压：274V

SMF12A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=12V VBR(min)=13.3V VC=19.9V@IPP=10.05A SOD123
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: DOWO 反向漏电流 IR: 2.5μA 击穿电压: 13.3V 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 存储温度: -55℃~+150℃ 反向断态电压: 12V 封装/外壳: SOD123 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 10.05A 系列: SMF 通道数: 1 最小包装: 3000pcs 认证信息: RoHS 高度: 1.30mm 击穿电压 -min: 13.3V 引脚数: 2Pin

5.0SMDJ16CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：16V 击穿电压(最小值)：17.8V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：192.3A 最大钳位电压：26V