DOWO
商品列表
SMBJ70CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):70V 击穿电压(最小值):77.8V 击穿电压(最大值):86V 反向漏电流(Ir):1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.31A 最大钳位电压:113V
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):70V 击穿电压(最小值):77.8V 击穿电压(最大值):86V 反向漏电流(Ir):1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.31A 最大钳位电压:113V
M8550
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):800mA 功率(Pd):625mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):800mA 功率(Pd):625mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) PNP
SD12C
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS SOD323,Vc=20V,Ipp=18A,Ppp=400W VRWM=12V
安装类型: SMT 钳位电压: 20V 反向漏电流 IR: 500nA 击穿电压: 13V 功率-峰值脉冲: 400W 原始制造商: DOWOSEMI Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流(Ipp): 18A 原产国家: China 击穿电压Max: 16V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.10mm 结电容: 15pF 零件状态: Active 击穿电压 -min: 13V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS SOD323,Vc=20V,Ipp=18A,Ppp=400W VRWM=12V
安装类型: SMT 钳位电压: 20V 反向漏电流 IR: 500nA 击穿电压: 13V 功率-峰值脉冲: 400W 原始制造商: DOWOSEMI Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 峰值脉冲电流(Ipp): 18A 原产国家: China 击穿电压Max: 16V 最小包装: 3000pcs 高度: 1.10mm 结电容: 15pF 零件状态: Active 击穿电压 -min: 13V
BZT52C15WJ
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 齐纳二极管 15V 350mW 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):15V 稳压值(范围):13.8V~15.6V 功率:350mW
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 齐纳二极管 15V 350mW 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):15V 稳压值(范围):13.8V~15.6V 功率:350mW