SILAN
        商品列表
      
      
          
            SVF12N65CKL
          
          
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):209W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,6A N沟道 650V 12A
      供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):209W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,6A N沟道 650V 12A
          
            SVF2N60RDTR
          
          
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):8.92nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):250pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):2.7pF@25V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
      供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):8.92nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):250pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):2.7pF@25V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
          
            SVF4N60CAF
          
          
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):433pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):4.5pF@25V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
      供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):433pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):4.5pF@25V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
          
            SVF2N60F(S)
          
          
供应商: Anychip Mall
分类: SVF2N60F(S) TO-220F
描述: 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23W 类型:N沟道 N沟道 600V 2A
      供应商: Anychip Mall
分类: SVF2N60F(S) TO-220F
描述: 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23W 类型:N沟道 N沟道 600V 2A