JSMSEMI
商品列表
SMF54A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 单向 54V 2.3A 200W SOD-123FL
安装类型: SMT 钳位电压: 87.1V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 60V 功率-峰值脉冲: 200W 极性: 单向 长x宽/尺寸: 2.75 x 1.80mm 反向断态电压: 54V 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流(Ipp): 2.3A 高度: 1.00mm 引脚数: 2Pin 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 单向 54V 2.3A 200W SOD-123FL
安装类型: SMT 钳位电压: 87.1V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 60V 功率-峰值脉冲: 200W 极性: 单向 长x宽/尺寸: 2.75 x 1.80mm 反向断态电压: 54V 封装/外壳: SOD-123FL 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流(Ipp): 2.3A 高度: 1.00mm 引脚数: 2Pin 类型: TVS
BZT52C4V7SQ
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):4.7V 稳压值(范围):4.47V~4.94V 功率:200mW 精度:±5%
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):4.7V 稳压值(范围):4.47V~4.94V 功率:200mW 精度:±5%
SMF13A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 13V 9.3A SOD-123FL
安装类型: SMT 钳位电压: 21.5V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 14.4V 原始制造商: JSMICRO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/Reel 极性: 单向 印字代码: BG 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SOD-123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 9.3A 系列: SMF 击穿电压Max: 15.9V 通道数: 1 高度: 1.10mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 14.4V 类型: TVS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 13V 9.3A SOD-123FL
安装类型: SMT 钳位电压: 21.5V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 14.4V 原始制造商: JSMICRO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/Reel 极性: 单向 印字代码: BG 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SOD-123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 9.3A 系列: SMF 击穿电压Max: 15.9V 通道数: 1 高度: 1.10mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 14.4V 类型: TVS
MMBT2907A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 20nA 300mW 100@150mA,10V 600mA 200MHz 1.6V@500mA,50mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
安装类型: SMT 功率耗散: 300mW 集电极-基极电压(VCBO): 60V 原始制造商: JSMICRO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 60V Vce饱和压降: 1.6V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 60V 跃迁频率: 200MHz 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 特征频率(fT): 200MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 2.6V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 100~300
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 20nA 300mW 100@150mA,10V 600mA 200MHz 1.6V@500mA,50mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
安装类型: SMT 功率耗散: 300mW 集电极-基极电压(VCBO): 60V 原始制造商: JSMICRO SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 60V Vce饱和压降: 1.6V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 60V 跃迁频率: 200MHz 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 特征频率(fT): 200MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 2.6V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 100~300
1N4148WS
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 开关二极管(小信号) 电压:100V 电流:300mA SOD-323(SC-76)
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 2A 总电容C: 2pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V@150mA 反向击穿电压: 75V 存储温度: -65~+150℃ 反向漏电流IR: 1μA 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 反向耐压VR: 75V 平均整流电流: 200mA 功率耗散(最大值): 200mW 反向恢复时间(trr): 4ns 正向压降VF Max: 1.25V 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 开关二极管(小信号) 电压:100V 电流:300mA SOD-323(SC-76)
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm): 2A 总电容C: 2pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V@150mA 反向击穿电压: 75V 存储温度: -65~+150℃ 反向漏电流IR: 1μA 封装/外壳: SOD-323 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 反向耐压VR: 75V 平均整流电流: 200mA 功率耗散(最大值): 200mW 反向恢复时间(trr): 4ns 正向压降VF Max: 1.25V 零件状态: Active 引脚数: 2Pin