JSMSEMI
商品列表
S9013
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW
安装类型: SMT 品牌: JSMICRO 原始制造商: JSMICRO SEMICONDUCTOR Vce饱和压降: 600mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 25V 跃迁频率: 150MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 500mA 配置: 单路 原产国家: America 特征频率(fT): 150MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 85~400
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW
安装类型: SMT 品牌: JSMICRO 原始制造商: JSMICRO SEMICONDUCTOR Vce饱和压降: 600mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 25V 跃迁频率: 150MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 500mA 配置: 单路 原产国家: America 特征频率(fT): 150MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 85~400
MM3Z4V3W
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 稳压值(标称值):4.3V 稳压值(范围):4V~4.6V 精度:±5% 功率:300mW 反向电流(Ir):5uA@1V 阻抗(Zzt):130Ω
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 稳压值(标称值):4.3V 稳压值(范围):4V~4.6V 精度:±5% 功率:300mW 反向电流(Ir):5uA@1V 阻抗(Zzt):130Ω
SMF43A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:单向 反向截止电压(Vrwm):43V 击穿电压(最小值):47.8V 击穿电压(最大值):52.8V 反向漏电流(Ir):1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.9A 最大钳位电压:69.4V
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:单向 反向截止电压(Vrwm):43V 击穿电压(最小值):47.8V 击穿电压(最大值):52.8V 反向漏电流(Ir):1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.9A 最大钳位电压:69.4V
JSM8223
供应商: Anychip Mall
分类: 其他芯片
描述: 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
安装类型: SMT 品牌: JSMICRO 电源电压: 2V~5.5V 原始制造商: JSMICRO SEMICONDUCTOR 包装: 卷装 存储温度: -40~+125℃ 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 电源电流: 1.5μA~10μA 工作温度: -20℃~+70℃ 原产国家: America 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 1.10mm 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 其他芯片
描述: 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
安装类型: SMT 品牌: JSMICRO 电源电压: 2V~5.5V 原始制造商: JSMICRO SEMICONDUCTOR 包装: 卷装 存储温度: -40~+125℃ 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 电源电流: 1.5μA~10μA 工作温度: -20℃~+70℃ 原产国家: America 最小包装: 3000pcs 零件状态: Active 高度: 1.10mm 引脚数: 6Pin