NCE

NCE65TF130
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-220 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 28A Rds On(Max)@Id,Vgs: 110mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 260W

NCEP0178A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>78A</SPAN> 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,39A

NCEP1580GU
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：DFN5*6 FET类型：N-channel 栅极电压Vgs：20V 漏源极电压Vds：150V 连续漏极电流Id：80A
封装/外壳: DFN5*6 FET类型: N-channel 栅极电压Vgs: 20V 漏源极电压Vds: 150V 连续漏极电流Id: 80A Rds On(Max)@Id,Vgs: 10mΩ Pd-功率耗散(Max): 160W

NCE65TF130D
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
封装/外壳: TO-263-2L

NCEP0135A
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-220-3L FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~175℃ 栅极电压Vgs：±20V 漏源极电压Vds：100V

NCE65T260
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W
安装类型: 插件 封装/外壳: TO-220-3 品牌: NCE 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 50pcs 包装: Tube packing 漏源电压(Vdss): 650V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 15A 长x宽/尺寸: 10.25 x 4.60mm

NCE65T130F
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-220F FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 28A Rds On(Max)@Id,Vgs: 110mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 35W

NCE65TF099D
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
封装/外壳: TO-263-2L

NCEP6060GU
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET

NCE65T180T
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-247 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 21A Rds On(Max)@Id,Vgs: 150mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 188W