NCE
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NCE82H110D
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：82V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：200W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 82V 阈值电压: 4V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 110A 长x宽/尺寸: 10.16 x 8.92mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 6.4nF Vgs(Max): 20V 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 82V 栅极电荷(Qg): 120nC 高度: 4.44mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：82V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：200W
安装类型: SMT 品牌: NCE 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 82V 阈值电压: 4V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 110A 长x宽/尺寸: 10.16 x 8.92mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 6.4nF Vgs(Max): 20V 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 82V 栅极电荷(Qg): 120nC 高度: 4.44mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
NCE2305
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5.4A SOT23-3
安装类型: SMT 功率耗散: 1W 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.4A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 190pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 740pF Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7.8nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5.4A SOT23-3
安装类型: SMT 功率耗散: 1W 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.4A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 190pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 740pF Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7.8nC 晶体管类型: P沟道
NCE6008AS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.2V@250µA 额定功率: 2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V,8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: SOIC-8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 98pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 38.5nC 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 38.5nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.2V@250µA 额定功率: 2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V,8A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 8A 封装/外壳: SOIC-8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 98pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 38.5nC 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 38.5nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
NCE3050K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输入电容(Ci): 2nF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11mΩ@10V,25A 栅极电荷(Qg): 23nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 1uA 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 50A 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输入电容(Ci): 2nF 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 11mΩ@10V,25A 栅极电荷(Qg): 23nC 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin 类型: 1个N沟道
NCE0106Z
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,5A
NCE65TF130T
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-247 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 28A Rds On(Max)@Id,Vgs: 110mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 260W
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-247 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 28A Rds On(Max)@Id,Vgs: 110mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 260W
NCE65T260D
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-263 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 15A Rds On(Max)@Id,Vgs: 220mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 131W
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-263 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 15A Rds On(Max)@Id,Vgs: 220mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 131W