NCE
商品列表
NCE82H110D
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：82V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：200W
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 82V 阈值电压: 4V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 110A 长x宽/尺寸: 10.16 x 8.92mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 82V 栅极电荷(Qg): 120nC 高度: 4.44mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：82V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：200W
安装类型: SMT 品牌: NCE 击穿电压: 82V 阈值电压: 4V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7mΩ 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 110A 长x宽/尺寸: 10.16 x 8.92mm 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 漏极电流: 1uA 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 原产国家: China Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 82V 栅极电荷(Qg): 120nC 高度: 4.44mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
NCE2305
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5.4A SOT23-3
安装类型: SMT 功率耗散: 1W 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.4A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 190pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 740pF Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7.8nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5.4A SOT23-3
安装类型: SMT 功率耗散: 1W 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: WUXI NCE POWER CO., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.4A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 190pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 740pF Vgs(Max): ±12V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7.8nC 晶体管类型: P沟道
NCE6008AS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: VDS=60V ID=8A PD=1.8W VGS=±20V
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+150℃ 引线数量: 3Pin 原产国家: China 品牌: NCE 漏源极电压（Vdss）: 60V 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流Id@25℃: 8A 导通电阻Rds On(Max): 20mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 38.5nC 输入电容(Ciss)(Max): 1600pF 功率(Max): 2.1W 工作温度(Tj): -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOP-8
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: VDS=60V ID=8A PD=1.8W VGS=±20V
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 漏极电流Idss: 1uA FET类型: N沟道 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+150℃ 引线数量: 3Pin 原产国家: China 品牌: NCE 漏源极电压（Vdss）: 60V 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流Id@25℃: 8A 导通电阻Rds On(Max): 20mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 38.5nC 输入电容(Ciss)(Max): 1600pF 功率(Max): 2.1W 工作温度(Tj): -55°C~150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOP-8
NCE3050K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
安装类型: SMT 功率耗散: 60W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 2nF Vgs(Max): 20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 23nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
安装类型: SMT 功率耗散: 60W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 漏极电流: 1uA 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 输入电容: 2nF Vgs(Max): 20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 23nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 2Pin
NCE0106Z
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,5A
NCE65TF130T
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-247 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 28A Rds On(Max)@Id,Vgs: 110mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 260W
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-247 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 28A Rds On(Max)@Id,Vgs: 110mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 260W
NCE65T260D
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-263 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 15A Rds On(Max)@Id,Vgs: 220mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 131W
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 超结（COOLMOS)
封装/外壳: TO-263 FET类型: N-Channel 栅极电压Vgs: 30V 漏源极电压Vds: 650V 连续漏极电流Id: 15A Rds On(Max)@Id,Vgs: 220mΩ@10V Pd-功率耗散(Max): 131W