IXYS
IXYS is a pioneer in the development of power semiconductors, integrated circuits and RF systems that effectively monitor electrical voltage to produce maximum effect with least expenditure of energy.
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IXFT58N20Q
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 200V 58A TO268
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 40 毫欧 @ 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-268 封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 漏源电压（Vdss）: 200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 140 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3600 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 200V 58A TO268
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 40 毫欧 @ 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-268 封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 漏源电压（Vdss）: 200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 140 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3600 pF @ 25 V
IXTP6N50P
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
制造商: IXYS 系列: PolarHV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.1 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 50µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 100W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14.6 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 740 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
制造商: IXYS 系列: PolarHV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.1 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 50µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 100W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14.6 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 740 pF @ 25 V
IXFC13N50
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 400 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 2.5mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 140W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: ISOPLUS220™ 封装/外壳: ISOPLUS220™ 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 120 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2800 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 400 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 2.5mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 140W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: ISOPLUS220™ 封装/外壳: ISOPLUS220™ 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 120 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2800 pF @ 25 V
IXTA240N055T7
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7
制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 240A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.6 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 480W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263-7（IXTA..7） 封装/外壳: TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） 漏源电压（Vdss）: 55 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 170 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7600 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7
制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 240A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.6 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 480W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263-7（IXTA..7） 封装/外壳: TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） 漏源电压（Vdss）: 55 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 170 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7600 pF @ 25 V
IXBOD1-28RD
供应商: DigiKey
分类: TVS - 混合技术
描述: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2800V
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 电压 - 箝位: 2800V（2.8kV） 技术: 混合技术 应用: 高电压 安装类型: PCB，通孔 封装/外壳: 径向 供应商器件封装: BOD 电路数: 3
供应商: DigiKey
分类: TVS - 混合技术
描述: IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2800V
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 电压 - 箝位: 2800V（2.8kV） 技术: 混合技术 应用: 高电压 安装类型: PCB，通孔 封装/外壳: 径向 供应商器件封装: BOD 电路数: 3
IXGH2N250
供应商: DigiKey
分类: 单 IGBT
描述: IGBT 2500 V 5.5 A 32 W 通孔 TO-247AD
IGBT 类型: - 电压 - 集射极击穿（最大值）: 2500 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 5.5 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 13.5 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 3.1V @ 15V，2A 功率 - 最大值: 32 W 开关能量: - 输入类型: 标准 栅极电荷: 10.5 nC 25°C 时 Td（开/关）值: - 测试条件: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AD
供应商: DigiKey
分类: 单 IGBT
描述: IGBT 2500 V 5.5 A 32 W 通孔 TO-247AD
IGBT 类型: - 电压 - 集射极击穿（最大值）: 2500 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 5.5 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 13.5 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 3.1V @ 15V，2A 功率 - 最大值: 32 W 开关能量: - 输入类型: 标准 栅极电荷: 10.5 nC 25°C 时 Td（开/关）值: - 测试条件: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AD
IXFH230N075T2
供应商: DigiKey
分类: 单 FET，MOSFET
描述: 通孔 N 通道 75 V 230A（Tc） 480W（Tc） TO-247AD（IXFH）
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 230A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 178 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10500 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 480W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247AD（IXFH） 封装/外壳: TO-247-3
供应商: DigiKey
分类: 单 FET，MOSFET
描述: 通孔 N 通道 75 V 230A（Tc） 480W（Tc） TO-247AD（IXFH）
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 230A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 178 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10500 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 480W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247AD（IXFH） 封装/外壳: TO-247-3
IXGH24N120C3H1
供应商: DigiKey
分类: 单 IGBT
描述: IGBT PT 1200 V 48 A 250 W 通孔 TO-247AD
IGBT 类型: PT 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 48 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 96 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值: 250 W 开关能量: 1.16mJ（导通），470µJ（关断） 输入类型: 标准 栅极电荷: 79 nC 25°C 时 Td（开/关）值: 16ns/93ns 测试条件: 600V，20A，5 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr): 70 ns 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AD
供应商: DigiKey
分类: 单 IGBT
描述: IGBT PT 1200 V 48 A 250 W 通孔 TO-247AD
IGBT 类型: PT 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 48 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 96 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 4.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值: 250 W 开关能量: 1.16mJ（导通），470µJ（关断） 输入类型: 标准 栅极电荷: 79 nC 25°C 时 Td（开/关）值: 16ns/93ns 测试条件: 600V，20A，5 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr): 70 ns 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AD
MIXA30W1200TMH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 43A MINIPACK2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 停產 IGBT 类型: PT 配置: 三相反相器，带制动器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，25A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: MiniPack2 供应商器件封装: MiniPack2 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 43 A 功率 - 最大值: 150 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 150 µA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 43A MINIPACK2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 停產 IGBT 类型: PT 配置: 三相反相器，带制动器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，25A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: MiniPack2 供应商器件封装: MiniPack2 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 43 A 功率 - 最大值: 150 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 150 µA
VBO20-16AO2
供应商: DigiKey
分类: 桥式整流器
描述: 桥式整流器 单相 雪崩 1.6 kV QC 端子 FO-A
二极管类型: 单相 技术: 雪崩 电压 - 峰值反向（最大值）: 1.6 kV 电流 - 平均整流 (Io): 31 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 55 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 300 µA @ 1600 V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: QC 端子 封装/外壳: 4-方形，FO-A 供应商器件封装: FO-A
供应商: DigiKey
分类: 桥式整流器
描述: 桥式整流器 单相 雪崩 1.6 kV QC 端子 FO-A
二极管类型: 单相 技术: 雪崩 电压 - 峰值反向（最大值）: 1.6 kV 电流 - 平均整流 (Io): 31 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 55 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 300 µA @ 1600 V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: QC 端子 封装/外壳: 4-方形，FO-A 供应商器件封装: FO-A