CBI
The CBI-electric Group under the auspices of Reunert Holdings which is a leading South African company listed on the JSE in the industrial goods and services (electronic and electrical equipment) sectors. Reunert manages a number of businesses focused on electronics and electrical engineering and regularly ranks among the country's top companies.
商品列表
BZX84C24
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 二极管配置：独立式 稳压值(最小值)：22.8V 稳压值(标称值)：24V 稳压值(最大值)：25.6V 精度：- 功率：350mW 反向电流(Ir)：50nA@16.8V 阻抗(Zzt)：70Ω
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: CBI 稳压值(范围): 22.8V~25.6V 功率: 350mW 包装: Bulk packing 反向电流Izt: 5mA 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm Zzt阻抗: 70Ω 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向漏电流IR: 50nA 工作温度: -65℃~+150℃ 标准稳压值: 24V 二极管类型: 单一 最小包装: 1pcs 功率耗散（最大值）: 350mW 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 二极管配置：独立式 稳压值(最小值)：22.8V 稳压值(标称值)：24V 稳压值(最大值)：25.6V 精度：- 功率：350mW 反向电流(Ir)：50nA@16.8V 阻抗(Zzt)：70Ω
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: CBI 稳压值(范围): 22.8V~25.6V 功率: 350mW 包装: Bulk packing 反向电流Izt: 5mA 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm Zzt阻抗: 70Ω 存储温度: -65~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向漏电流IR: 50nA 工作温度: -65℃~+150℃ 标准稳压值: 24V 二极管类型: 单一 最小包装: 1pcs 功率耗散（最大值）: 350mW 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
BZT52C4V7W
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面稳压二极管
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 正向电流: 10mA 稳压值(范围): 4.4V~5V 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV Zzt阻抗: 80Ω 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.70 x 1.65mm 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 3µA 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China Hong Kong 二极管类型: 单一 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 900mV
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面稳压二极管
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 正向电流: 10mA 稳压值(范围): 4.4V~5V 原始制造商: China Base Electronics Technology Co.,Ltd. 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 5mA 正向压降VF: 900mV Zzt阻抗: 80Ω 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.70 x 1.65mm 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 3µA 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China Hong Kong 二极管类型: 单一 功率耗散（最大值）: 500mW 正向压降VF Max: 900mV
MMDT3946DW
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V Vce饱和压降: 300mV 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 40V 跃迁频率: 300MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-363 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 200mA 原产国家: China 特征频率(fT): 300MHz,250MHz 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN,PNP DC电流增益(hFE): 100 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V Vce饱和压降: 300mV 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 40V 跃迁频率: 300MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 1.25mm 封装/外壳: SOT-363 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 200mA 原产国家: China 特征频率(fT): 300MHz,250MHz 高度: 0.90mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN,PNP DC电流增益(hFE): 100 引脚数: 6Pin
MM3Z39
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面稳压二极管
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 热阻: 417℃/W 稳压值(范围): 37V~41V 功率: 300mW 精度: ±5% 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 2.5mA 正向压降VF: 900mV Zzt阻抗: 100Ω 反向漏电流IR: 2µA 封装/外壳: SOD-323 工作温度: +150℃ 标准稳压值: 39V 二极管类型: 单一 功率耗散（最大值）: 300mW 正向压降VF Max: 900mV 高度: 1.15mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 硅平面稳压二极管
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 热阻: 417℃/W 稳压值(范围): 37V~41V 功率: 300mW 精度: ±5% 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 2.5mA 正向压降VF: 900mV Zzt阻抗: 100Ω 反向漏电流IR: 2µA 封装/外壳: SOD-323 工作温度: +150℃ 标准稳压值: 39V 二极管类型: 单一 功率耗散（最大值）: 300mW 正向压降VF Max: 900mV 高度: 1.15mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
BZX84C8V2
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: SOT23-3 8.2V
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: CBI 稳压值(范围): 7.7V~8.7V 功率: 350mW 包装: Bulk packing 反向电流Izt: 5mA 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.65mm Zzt阻抗: 15Ω 反向漏电流IR: 700nA 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -65℃~+150℃ 标准稳压值: 8.2V 二极管类型: 单一 最小包装: 1pcs 功率耗散（最大值）: 350mW 高度: 1.40mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: SOT23-3 8.2V
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: CBI 稳压值(范围): 7.7V~8.7V 功率: 350mW 包装: Bulk packing 反向电流Izt: 5mA 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.65mm Zzt阻抗: 15Ω 反向漏电流IR: 700nA 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -65℃~+150℃ 标准稳压值: 8.2V 二极管类型: 单一 最小包装: 1pcs 功率耗散（最大值）: 350mW 高度: 1.40mm 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
BZX84C20
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 二极管配置：独立式 稳压值(最小值)：18.8V 稳压值(标称值)：20V 稳压值(最大值)：21.2V 精度：- 功率：350mW 反向电流(Ir)：50nA@14V 阻抗(Zzt)：55Ω
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: CBI 稳压值(范围): 18.8V~21.2V 功率: 350mW 包装: Bulk packing 反向电流Izt: 5mA Zzt阻抗: 55Ω 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 反向漏电流IR: 50nA 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -65℃~+150℃ 标准稳压值: 20V 二极管类型: 单一 最小包装: 1pcs 功率耗散（最大值）: 350mW 零件状态: Active 高度: 1.10mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 二极管配置：独立式 稳压值(最小值)：18.8V 稳压值(标称值)：20V 稳压值(最大值)：21.2V 精度：- 功率：350mW 反向电流(Ir)：50nA@14V 阻抗(Zzt)：55Ω
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: CBI 稳压值(范围): 18.8V~21.2V 功率: 350mW 包装: Bulk packing 反向电流Izt: 5mA Zzt阻抗: 55Ω 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 反向漏电流IR: 50nA 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -65℃~+150℃ 标准稳压值: 20V 二极管类型: 单一 最小包装: 1pcs 功率耗散（最大值）: 350mW 零件状态: Active 高度: 1.10mm 引脚数: 3Pin
1SS357
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 正向压降(Vf)：600mV 100mA 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：100mA 反向电流(Ir)：5μA 40V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: CBI 总电容C: 25pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 600mV 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.35mm 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 100mA 工作温度-结: -55°C~125°C 正向压降VF Max: 600mV 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：独立式 正向压降(Vf)：600mV 100mA 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：100mA 反向电流(Ir)：5μA 40V
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 是否无铅: Yes 品牌: CBI 总电容C: 25pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 600mV 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.35mm 封装/外壳: SOD-323 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 100mA 工作温度-结: -55°C~125°C 正向压降VF Max: 600mV 高度: 1.20mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
MMDT3906DW
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 2个PNP 40V 200mA SOT-363
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V Vce饱和压降: 400mV 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 40V 跃迁频率: 250MHz 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-363 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 200mA 原产国家: China 特征频率(fT): 250MHz 高度: 1.10mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 100@10mA,1V 晶体管类型: PNP+PNP 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 2个PNP 40V 200mA SOT-363
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V Vce饱和压降: 400mV 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 40V 跃迁频率: 250MHz 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-363 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 200mA 原产国家: China 特征频率(fT): 250MHz 高度: 1.10mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 100@10mA,1V 晶体管类型: PNP+PNP 引脚数: 6Pin
SS8550SOT89
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 PNP 电流:1.5A 耐压:25V SOT89-3
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 500mW 额定功率: 500mW Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 25V 跃迁频率: 100MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.62 x 2.62mm 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China 高度: 1.50mm 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 120 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 PNP 电流:1.5A 耐压:25V SOT89-3
安装类型: SMT 品牌: CBI 功率耗散: 500mW 额定功率: 500mW Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)): 25V 跃迁频率: 100MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.62 x 2.62mm 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China 高度: 1.50mm 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 120 引脚数: 3Pin
MMBTSA1015
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP硅外延平面晶体管
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: CBI 额定功率: 200mW 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 0.3V 极性: PNP 跃迁频率: 80MHz 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极截止电流 (Icbo): 0.1μA 集电极电流 Ic: 150mA 封装技术: Plastic Package 原产国家: China Hong Kong 最小包装: 3000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 高度: 1.40mm DC电流增益(hFE): 200 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP硅外延平面晶体管
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: CBI 额定功率: 200mW 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 0.3V 极性: PNP 跃迁频率: 80MHz 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极截止电流 (Icbo): 0.1μA 集电极电流 Ic: 150mA 封装技术: Plastic Package 原产国家: China Hong Kong 最小包装: 3000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 高度: 1.40mm DC电流增益(hFE): 200 引脚数: 3Pin