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商品列表
2SB1188R
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 PNP 32V 2A SOT89-3L
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT89-3L 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 2A 功率耗散: 500mW 集射极击穿电压Vce(Max): 32V 高度: 1.50mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 180~390 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.45mm 引脚数: 3Pin
CJ3139KW
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 20V 660mA SOT-323
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT-323 功率耗散: 200mW 漏源电压(Vdss): 20V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 660mA 高度: 1.00mm 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 引脚数: 3Pin
BC847AW
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN 45V 100mA SOT-323
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 100mA 功率耗散: 150mW 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 高度: 1.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 110~220 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 引脚数: 3Pin
RB521G-30
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 30V 200mA SOD-723
安装类型: SMT 封装/外壳: SOD-723 反向耐压VR: 30V 平均整流电流: 200mA 正向压降VF Max: 500mV 高度: 0.50mm 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 引脚数: 2Pin
2SC2383
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN 160V 1A SOT89-3L
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT89-3L 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 1A 功率耗散: 2W 集射极击穿电压Vce(Max): 160V 高度: 1.50mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 160~320 引脚数: 3Pin 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.45mm
S9013W
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN 25V 500mA SOT-323
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 500mA 功率耗散: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 高度: 1.00mm DC电流增益(hFE): 200~350 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm
2SC4672R
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN 50V 2A SOT89-3L
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT89-3L 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 2A 功率耗散: 500mW 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 高度: 1.50mm DC电流增益(hFE): 180~390 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.45mm
CJ3139K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-沟道 20V 660mA DFN1006-3L
封装/外壳: DFN1006-3 安装类型: SMT 功率耗散: 275mW 漏源电压(Vdss): 20V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 660mA 高度: 0.50mm 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 引脚数: 3Pin
CJ3139KDW
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 2个P-沟道 20V 660mA SOT-363
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT-363 功率耗散: 150mW 漏源电压(Vdss): 20V 极性: 2个P-沟道 连续漏极电流: 660mA 高度: 1.00mm 长x宽/尺寸: 2.10 x 1.25mm 引脚数: 6Pin
BCX53-16
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 PNP 80V 1A SOT89-3L
封装/外壳: SOT89-3L 安装类型: SMT 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极电流 Ic: 1A 功率耗散: 500mW 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 高度: 1.50mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 100~250 引脚数: 3Pin 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.45mm