安世半导体
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BZV55-C56
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: 安世半导体 1路路 单路 稳压二极管, 56V 5% 500 mW, 2引脚 MiniMELF封装
二极管配置: 单路 额定齐纳电压: 56V 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 500 mW 封装类型: MiniMELF 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 2mA 最大齐纳阻抗: 200Ω 最大反向漏电流: 50nA 长度: 3.7mm 尺寸: 3.7 x 1.6 x 1.6mm 最低工作温度: -65 °C 最高工作温度: +200 °C 高度: 1.6mm 宽度: 1.6mm 典型电压温度系数: 52mV/°C
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: 安世半导体 1路路 单路 稳压二极管, 56V 5% 500 mW, 2引脚 MiniMELF封装
二极管配置: 单路 额定齐纳电压: 56V 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 500 mW 封装类型: MiniMELF 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 2mA 最大齐纳阻抗: 200Ω 最大反向漏电流: 50nA 长度: 3.7mm 尺寸: 3.7 x 1.6 x 1.6mm 最低工作温度: -65 °C 最高工作温度: +200 °C 高度: 1.6mm 宽度: 1.6mm 典型电压温度系数: 52mV/°C
74HC373PW
供应商: RS
分类: 锁存器
描述: 安世半导体 d锁存器, 20引脚, 8Bit位, 2 → 6 V电源
逻辑系列: 74HC 闭锁模式: 透明 闭锁元件: D 型 位元数目: 8Bit 输出类型: 三态 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 20 尺寸: 6.6 x 4.5 x 0.95mm 高度: 0.95mm 长度: 6.6mm
供应商: RS
分类: 锁存器
描述: 安世半导体 d锁存器, 20引脚, 8Bit位, 2 → 6 V电源
逻辑系列: 74HC 闭锁模式: 透明 闭锁元件: D 型 位元数目: 8Bit 输出类型: 三态 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 20 尺寸: 6.6 x 4.5 x 0.95mm 高度: 0.95mm 长度: 6.6mm
PESD5V0S2UQ,115
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 安世半导体 TVS二极管 单向, 150W, 20V, 3 引脚, SOT-663封装
方向类型: 单向 二极管配置: 共阳极 最大钳位电压: 20V 最小击穿电压: 6.4V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-663 最大反向待机电压: 5V 引脚数目: 3 峰值脉冲功率耗散: 150W 最大峰值脉冲电流: 15A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 2 最低工作温度: -65 °C 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 1.7 x 1.3 x 0.6mm 高度: 0.6mm 长度: 1.7mm 宽度: 1.3mm 最大反向漏电流: 300nA 测试电流: 5mA
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 安世半导体 TVS二极管 单向, 150W, 20V, 3 引脚, SOT-663封装
方向类型: 单向 二极管配置: 共阳极 最大钳位电压: 20V 最小击穿电压: 6.4V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-663 最大反向待机电压: 5V 引脚数目: 3 峰值脉冲功率耗散: 150W 最大峰值脉冲电流: 15A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 2 最低工作温度: -65 °C 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 1.7 x 1.3 x 0.6mm 高度: 0.6mm 长度: 1.7mm 宽度: 1.3mm 最大反向漏电流: 300nA 测试电流: 5mA
74HC153D,652
供应商: RS
分类: 多路器开关芯片
描述: 安世半导体 多路复用器, 双 4 x 1配置, 多路复用器结构4:1 多路复用器
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 16 尺寸: 10 x 4 x 1.45mm 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: 多路器开关芯片
描述: 安世半导体 多路复用器, 双 4 x 1配置, 多路复用器结构4:1 多路复用器
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 16 尺寸: 10 x 4 x 1.45mm 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -40 °C
74HCT125PW
供应商: RS
分类: 缓冲和线路驱动器组合
描述: Nexperia 74HCT125PW,112 74HCT 系列 4位 三态 缓冲器，线路驱动器, 14引脚 TSSOP封装
逻辑系列: 74HCT 逻辑功能: 缓冲器，线路驱动器 每片芯片通道数目: 4 输入类型: TTL 输出类型: 三态 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 14 最大高电平输出电流: -6mA 最大低电平输出电流: 6mA 最长传播延迟时间@最长CL: 38ns 尺寸: 5.1 x 4.5 x 0.95mm 高度: 0.95mm 长度: 5.1mm 最高工作温度: +125 °C 最大工作电源电压: 5.5 V 传输延迟测试条件: 50pF 最低工作温度: -40 °C 宽度: 4.5mm 最小工作电源电压: 4.5 V
供应商: RS
分类: 缓冲和线路驱动器组合
描述: Nexperia 74HCT125PW,112 74HCT 系列 4位 三态 缓冲器，线路驱动器, 14引脚 TSSOP封装
逻辑系列: 74HCT 逻辑功能: 缓冲器，线路驱动器 每片芯片通道数目: 4 输入类型: TTL 输出类型: 三态 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 14 最大高电平输出电流: -6mA 最大低电平输出电流: 6mA 最长传播延迟时间@最长CL: 38ns 尺寸: 5.1 x 4.5 x 0.95mm 高度: 0.95mm 长度: 5.1mm 最高工作温度: +125 °C 最大工作电源电压: 5.5 V 传输延迟测试条件: 50pF 最低工作温度: -40 °C 宽度: 4.5mm 最小工作电源电压: 4.5 V
BC847CW
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: 安世半导体 晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 100 mA, UMT封装, 100 MHz, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 45 V 封装类型: UMT 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 200 mW 最小直流电流增益: 420 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 50 V 最大发射极-基极电压: 6 V 最大工作频率: 100 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 1 x 2.2 x 1.35mm 宽度: 1.35mm 最大基极-发射极饱和电压: 0.9 V 长度: 2.2mm 最低工作温度: -65 °C 高度: 1mm 最高工作温度: +150 °C 最大集电极-发射极饱和电压: 0.4 V
供应商: RS
分类: BJT和双极晶体管
描述: 安世半导体 晶体管, NPN, 最大直流集电极电流 100 mA, UMT封装, 100 MHz, 3引脚
晶体管类型: NPN 最大直流集电极电流: 100 mA 最大集电极-发射极电压: 45 V 封装类型: UMT 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 200 mW 最小直流电流增益: 420 晶体管配置: 单 最大集电极-基极电压: 50 V 最大发射极-基极电压: 6 V 最大工作频率: 100 MHz 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 1 尺寸: 1 x 2.2 x 1.35mm 宽度: 1.35mm 最大基极-发射极饱和电压: 0.9 V 长度: 2.2mm 最低工作温度: -65 °C 高度: 1mm 最高工作温度: +150 °C 最大集电极-发射极饱和电压: 0.4 V
PESD3V3L1BA
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 安世半导体 ESD 保护二极管, 双向, UMD封装
方向类型: 双向 二极管配置: 单路 最大钳位电压: 26V 最小击穿电压: 5.8V 安装类型: 表面贴装 封装类型: UMD 最大反向待机电压: 3.3V 引脚数目: 2 峰值脉冲功率耗散: 500W 最大峰值脉冲电流: 18A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -65 °C 尺寸: 1.8 x 1.35 x 1.05mm 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 安世半导体 ESD 保护二极管, 双向, UMD封装
方向类型: 双向 二极管配置: 单路 最大钳位电压: 26V 最小击穿电压: 5.8V 安装类型: 表面贴装 封装类型: UMD 最大反向待机电压: 3.3V 引脚数目: 2 峰值脉冲功率耗散: 500W 最大峰值脉冲电流: 18A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -65 °C 尺寸: 1.8 x 1.35 x 1.05mm 最高工作温度: +150 °C
BAS20
供应商: RS
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: 安世半导体二极管, 最大连续正向电流200mA, 峰值反向重复电压200V, 表面贴装安装, SOT-23 (TO-236AB)封装, 3引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 (TO-236AB) 最大连续正向电流: 200mA 峰值反向重复电压: 200V 二极管配置: 单路 整流器类型: 切换 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.25V 每片芯片元件数目: 1 二极管技术: 硅结型 峰值反向回复时间: 50ns 峰值非重复正向浪涌电流: 1.7A
供应商: RS
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: 安世半导体二极管, 最大连续正向电流200mA, 峰值反向重复电压200V, 表面贴装安装, SOT-23 (TO-236AB)封装, 3引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 (TO-236AB) 最大连续正向电流: 200mA 峰值反向重复电压: 200V 二极管配置: 单路 整流器类型: 切换 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.25V 每片芯片元件数目: 1 二极管技术: 硅结型 峰值反向回复时间: 50ns 峰值非重复正向浪涌电流: 1.7A
74LVC162244ADL
供应商: RS
分类: 缓冲和线路驱动器组合
描述: 安世半导体 LVC 系列 16位 三态 非反相 缓冲器，线路驱动器, 48引脚 SSOP封装
逻辑系列: LVC 逻辑功能: 缓冲器，线路驱动器 每片芯片通道数目: 16 输入类型: 单端 输出类型: 三态 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: SSOP 引脚数目: 48 最大高电平输出电流: -12mA 最大低电平输出电流: 12mA 最长传播延迟时间@最长CL: 11 ns @ 1.2 V 尺寸: 16 x 7.6 x 2.35mm 高度: 2.35mm 最高工作温度: +125 °C 最大工作电源电压: 3.6 V 长度: 16mm 最小工作电源电压: 1.2 V 宽度: 7.6mm 最低工作温度: -40 °C 传输延迟测试条件: 50pF
供应商: RS
分类: 缓冲和线路驱动器组合
描述: 安世半导体 LVC 系列 16位 三态 非反相 缓冲器，线路驱动器, 48引脚 SSOP封装
逻辑系列: LVC 逻辑功能: 缓冲器，线路驱动器 每片芯片通道数目: 16 输入类型: 单端 输出类型: 三态 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: SSOP 引脚数目: 48 最大高电平输出电流: -12mA 最大低电平输出电流: 12mA 最长传播延迟时间@最长CL: 11 ns @ 1.2 V 尺寸: 16 x 7.6 x 2.35mm 高度: 2.35mm 最高工作温度: +125 °C 最大工作电源电压: 3.6 V 长度: 16mm 最小工作电源电压: 1.2 V 宽度: 7.6mm 最低工作温度: -40 °C 传输延迟测试条件: 50pF