安世半导体
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74HCT165PW
供应商: RS
分类: 计数器 IC
描述: 安世半导体 移位寄存器, TSSOP封装, 16引脚, 8位, 表面贴装安装, 串行/并行到串行模式
封装类型: TSSOP 逻辑功能: 移位寄存器 阶段数目: 8 逻辑系列: 74HCT 安装类型: 表面贴装 工作模式: 串行/并行到串行 元件数目: 1 引脚数目: 16 最小工作电源电压: 4.5 V 最大工作电源电压: 5.5 V 尺寸: 5.1 x 4.5 x 0.95mm 触发类型: 负极沿、正极沿 预设类型: 异步 最低工作温度: -40 °C 复位类型: 同步 最高工作温度: 125 °C 方向类型: 单向
供应商: RS
分类: 计数器 IC
描述: 安世半导体 移位寄存器, TSSOP封装, 16引脚, 8位, 表面贴装安装, 串行/并行到串行模式
封装类型: TSSOP 逻辑功能: 移位寄存器 阶段数目: 8 逻辑系列: 74HCT 安装类型: 表面贴装 工作模式: 串行/并行到串行 元件数目: 1 引脚数目: 16 最小工作电源电压: 4.5 V 最大工作电源电压: 5.5 V 尺寸: 5.1 x 4.5 x 0.95mm 触发类型: 负极沿、正极沿 预设类型: 异步 最低工作温度: -40 °C 复位类型: 同步 最高工作温度: 125 °C 方向类型: 单向
74LVC16374ADL
供应商: RS
分类: 锁存器
描述: 安世半导体 弹簧锁, 48引脚 16Bit位 SSOP封装非反相 D 型, 三态输出+125 °C-40 °C表面贴装 透明
逻辑系列: LVC 闭锁模式: 透明 闭锁元件: D 型 位元数目: 16Bit 输出类型: 三态 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: SSOP 引脚数目: 48 尺寸: 16 x 7.6 x 2.35mm 高度: 2.35mm 长度: 16mm 宽度: 7.6mm 最大工作电源电压: 3.6 V 最小工作电源电压: 1.2 V 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +125 °C
供应商: RS
分类: 锁存器
描述: 安世半导体 弹簧锁, 48引脚 16Bit位 SSOP封装非反相 D 型, 三态输出+125 °C-40 °C表面贴装 透明
逻辑系列: LVC 闭锁模式: 透明 闭锁元件: D 型 位元数目: 16Bit 输出类型: 三态 极性: 非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: SSOP 引脚数目: 48 尺寸: 16 x 7.6 x 2.35mm 高度: 2.35mm 长度: 16mm 宽度: 7.6mm 最大工作电源电压: 3.6 V 最小工作电源电压: 1.2 V 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +125 °C
PMGD370XN
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安世半导体 MOSFET, N沟道, 双, Si, Vds=30 V, 1.5 A, 6引脚 SC-88封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 1.5 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 748 mΩ 最大栅阈值电压: 1.5V 最小栅阈值电压: 0.5V 最大栅源电压: -12 V、+12 V 封装类型: SC-88 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 隔离式 引脚数目: 6 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 410 mW 宽度: 1.35mm 每片芯片元件数目: 2 典型关断延迟时间: 14 ns 典型输入电容值@Vds: 37 pF @ 25 V 最低工作温度: -55 °C 高度: 1mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 2.2mm 尺寸: 2.2 x 1.35 x 1mm 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 6.5 ns 典型栅极电荷@Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安世半导体 MOSFET, N沟道, 双, Si, Vds=30 V, 1.5 A, 6引脚 SC-88封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 1.5 A 最大漏源电压: 30 V 最大漏源电阻值: 748 mΩ 最大栅阈值电压: 1.5V 最小栅阈值电压: 0.5V 最大栅源电压: -12 V、+12 V 封装类型: SC-88 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 隔离式 引脚数目: 6 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 410 mW 宽度: 1.35mm 每片芯片元件数目: 2 典型关断延迟时间: 14 ns 典型输入电容值@Vds: 37 pF @ 25 V 最低工作温度: -55 °C 高度: 1mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 2.2mm 尺寸: 2.2 x 1.35 x 1mm 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 6.5 ns 典型栅极电荷@Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
74HCT4538D
供应商: RS
分类: 单稳态触发器
描述: 安世半导体 单稳态触发器, SOIC封装, 16引脚
逻辑系列: HCT 逻辑功能: 单稳多谐振荡器 每片芯片元件数目: 2 最大高电平输出电流: -5.2mA 最大低电平输出电流: 5.2mA 最小脉冲宽度: 16 ns 最长传播延迟时间@最长CL: 90 ns@ 4.5 V 最大静态电流: 0.008mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 16 尺寸: 10 x 4 x 1.45mm 高度: 1.45mm 长度: 10mm
供应商: RS
分类: 单稳态触发器
描述: 安世半导体 单稳态触发器, SOIC封装, 16引脚
逻辑系列: HCT 逻辑功能: 单稳多谐振荡器 每片芯片元件数目: 2 最大高电平输出电流: -5.2mA 最大低电平输出电流: 5.2mA 最小脉冲宽度: 16 ns 最长传播延迟时间@最长CL: 90 ns@ 4.5 V 最大静态电流: 0.008mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 16 尺寸: 10 x 4 x 1.45mm 高度: 1.45mm 长度: 10mm
74HC4024D
供应商: RS
分类: 计数器 IC
描述: 安世半导体 计数器, 二进制, SOIC封装, 14引脚, 7位, 表面贴装安装, 增序计数器模式
封装类型: SOIC 逻辑功能: 计数器 阶段数目: 7 逻辑系列: HC 安装类型: 表面贴装 计数器类型: 二进制 工作模式: 增序计数器 元件数目: 1 引脚数目: 14 最小工作电源电压: 2 V 最大工作电源电压: 6 V 尺寸: 8.75 x 4 x 1.45mm 触发类型: 下降沿 复位类型: 异步 最高工作温度: 125 °C 方向类型: 单向 最低工作温度: -40°C
供应商: RS
分类: 计数器 IC
描述: 安世半导体 计数器, 二进制, SOIC封装, 14引脚, 7位, 表面贴装安装, 增序计数器模式
封装类型: SOIC 逻辑功能: 计数器 阶段数目: 7 逻辑系列: HC 安装类型: 表面贴装 计数器类型: 二进制 工作模式: 增序计数器 元件数目: 1 引脚数目: 14 最小工作电源电压: 2 V 最大工作电源电压: 6 V 尺寸: 8.75 x 4 x 1.45mm 触发类型: 下降沿 复位类型: 异步 最高工作温度: 125 °C 方向类型: 单向 最低工作温度: -40°C
2N7002
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安世半导体, 场效应管Mosfet, NMOS, SOT-23 (TO-236AB)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 300 mA 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SOT-23 (TO-236AB) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 5 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 830 mW 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 晶体管材料: Si 长度: 3mm 宽度: 1.4mm 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安世半导体, 场效应管Mosfet, NMOS, SOT-23 (TO-236AB)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 300 mA 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SOT-23 (TO-236AB) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 5 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 830 mW 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 晶体管材料: Si 长度: 3mm 宽度: 1.4mm 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C
PSMN026-80YS,115
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安世半导体 MOSFET, N沟道, Si, Vds=80 V, 34 A, 4引脚 SOT-669封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 34 A 最大漏源电压: 80 V 最大漏源电阻值: 42 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: SOT-669 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 4 通道模式: 增强 最大功率耗散: 74 W 高度: 1.1mm 长度: 5mm 最低工作温度: -55 °C 典型输入电容值@Vds: 1200 pF @ 40 V 典型栅极电荷@Vgs: 20 nC @ 10 V 典型关断延迟时间: 26 ns 尺寸: 5 x 4.1 x 1.1mm 最高工作温度: +175 °C 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 15 ns 宽度: 4.1mm 每片芯片元件数目: 1
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安世半导体 MOSFET, N沟道, Si, Vds=80 V, 34 A, 4引脚 SOT-669封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 34 A 最大漏源电压: 80 V 最大漏源电阻值: 42 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: SOT-669 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 4 通道模式: 增强 最大功率耗散: 74 W 高度: 1.1mm 长度: 5mm 最低工作温度: -55 °C 典型输入电容值@Vds: 1200 pF @ 40 V 典型栅极电荷@Vgs: 20 nC @ 10 V 典型关断延迟时间: 26 ns 尺寸: 5 x 4.1 x 1.1mm 最高工作温度: +175 °C 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 15 ns 宽度: 4.1mm 每片芯片元件数目: 1
74HCT112D
供应商: RS
分类: 触发器芯片
描述: 安世半导体 触发器芯片, JK 型, 下降沿触发, 双, 差分输出, TTL输入, SOIC封装
逻辑系列: HCT 逻辑功能: JK 型 输入类型: TTL 输出类型: LSTTL 输出信号类型: 差分 触发类型: 下降沿 极性: 反相，非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 16 设置/复位: 有 每片芯片元件数目: 2 最长传播延迟时间@最长CL: 60 ns@ 4.5 V 尺寸: 10 x 4 x 1.45mm 最大工作电源电压: 5.5 V
供应商: RS
分类: 触发器芯片
描述: 安世半导体 触发器芯片, JK 型, 下降沿触发, 双, 差分输出, TTL输入, SOIC封装
逻辑系列: HCT 逻辑功能: JK 型 输入类型: TTL 输出类型: LSTTL 输出信号类型: 差分 触发类型: 下降沿 极性: 反相，非反相 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOIC 引脚数目: 16 设置/复位: 有 每片芯片元件数目: 2 最长传播延迟时间@最长CL: 60 ns@ 4.5 V 尺寸: 10 x 4 x 1.45mm 最大工作电源电压: 5.5 V
74HCT125PW,112
供应商: RS
分类: 缓冲和线路驱动器组合
描述: Nexperia 74HCT125PW,112 74HCT 系列 4位 三态 缓冲器，线路驱动器, 14引脚 TSSOP封装
逻辑系列: 74HCT 逻辑功能: 缓冲器，线路驱动器 每片芯片通道数目: 4 输入类型: TTL 输出类型: 三态 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 14 最大高电平输出电流: -6mA 最大低电平输出电流: 6mA 最长传播延迟时间@最长CL: 38ns 尺寸: 5.1 x 4.5 x 0.95mm 高度: 0.95mm 长度: 5.1mm 最大工作电源电压: 5.5 V 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -40 °C 最小工作电源电压: 4.5 V 宽度: 4.5mm 传输延迟测试条件: 50pF
供应商: RS
分类: 缓冲和线路驱动器组合
描述: Nexperia 74HCT125PW,112 74HCT 系列 4位 三态 缓冲器，线路驱动器, 14引脚 TSSOP封装
逻辑系列: 74HCT 逻辑功能: 缓冲器，线路驱动器 每片芯片通道数目: 4 输入类型: TTL 输出类型: 三态 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 14 最大高电平输出电流: -6mA 最大低电平输出电流: 6mA 最长传播延迟时间@最长CL: 38ns 尺寸: 5.1 x 4.5 x 0.95mm 高度: 0.95mm 长度: 5.1mm 最大工作电源电压: 5.5 V 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -40 °C 最小工作电源电压: 4.5 V 宽度: 4.5mm 传输延迟测试条件: 50pF