AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO4618
供应商: Verical
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）,FET类型:N和P沟道,漏源极电压（Vdss）:40V,安装类型:表面贴装(SMT)
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm宽） FET类型: N和P沟道 漏源极电压（Vdss）: 40V 安装类型: 表面贴装(SMT)
供应商: Verical
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）,FET类型:N和P沟道,漏源极电压（Vdss）:40V,安装类型:表面贴装(SMT)
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm宽） FET类型: N和P沟道 漏源极电压（Vdss）: 40V 安装类型: 表面贴装(SMT)
AO6800
供应商: corestaff
供应商: corestaff
AO4616
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel, P-Channel VDS1=30V ID=8A VDS2=30V ID2=7A PD=2W SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 2W 阈值电压Vgs(th): 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 8A,7A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 输入电容Ciss: 740pF,1.040nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 互补型 系列: - FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 18nC@10V 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 高度: 1.65mm 晶体管类型: -
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel, P-Channel VDS1=30V ID=8A VDS2=30V ID2=7A PD=2W SOIC8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 2W 阈值电压Vgs(th): 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 8A,7A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 输入电容Ciss: 740pF,1.040nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 互补型 系列: - FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 18nC@10V 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 高度: 1.65mm 晶体管类型: -
AO4354
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.7mΩ@10V,20A N沟道,30V,23A,5.3mΩ@4.5V
安装类型: SMT 功率耗散: 3.1W 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 23A 包装: Tape/reel 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO8 反向传输电容Crss: 124pF 输入电容Ciss: 2.01nF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 49nC@10V 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 高度: 1.65mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.7mΩ@10V,20A N沟道,30V,23A,5.3mΩ@4.5V
安装类型: SMT 功率耗散: 3.1W 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 23A 包装: Tape/reel 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO8 反向传输电容Crss: 124pF 输入电容Ciss: 2.01nF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 49nC@10V 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 高度: 1.65mm 晶体管类型: N沟道
AON6144
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@10V,20A N沟道,40V,100A,2.4Ω@10V
安装类型: SMT 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 品牌: AOS 功率耗散: 78W 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 100A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 3.78nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 70nC@10V 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@10V,20A N沟道,40V,100A,2.4Ω@10V
安装类型: SMT 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 品牌: AOS 功率耗散: 78W 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 100A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 40V 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 3.78nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 70nC@10V 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: N沟道
AON6236
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 40V,30A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 功率耗散: 39W 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 30A 包装: Tape/reel 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 输入电容Ciss: 1.225nF@20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 26nC@10V 漏源电压(Vdss): 40V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 40V,30A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 功率耗散: 39W 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 30A 包装: Tape/reel 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 输入电容Ciss: 1.225nF@20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 26nC@10V 漏源电压(Vdss): 40V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AOZ8802ADI
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 线路数：2 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(VBR)：6V 钳位电压(Vc)@Ipp：16.5V
工作电压VR-VI(max): 5V（max） 安装类型: SMT 钳位电压 VC: 16.5V 工作电流: 1μA 电源电压: 5V 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.60 x 1.00mm 结电容值: 0.6pF@1MHz 封装/外壳: DFN6_1.6X1MM 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 系列: AOZ8802ADI 极性（单双向）: 单向 供应商器件封装: 6-DFN 击穿电压 V(BR)-min: 6V 通道数: 2 电压-断态: 5V 高度: 0.55mm 类型: 转向装置（轨至轨） 应用: 以太网，HDMI
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 线路数：2 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(VBR)：6V 钳位电压(Vc)@Ipp：16.5V
工作电压VR-VI(max): 5V（max） 安装类型: SMT 钳位电压 VC: 16.5V 工作电流: 1μA 电源电压: 5V 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.60 x 1.00mm 结电容值: 0.6pF@1MHz 封装/外壳: DFN6_1.6X1MM 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 系列: AOZ8802ADI 极性（单双向）: 单向 供应商器件封装: 6-DFN 击穿电压 V(BR)-min: 6V 通道数: 2 电压-断态: 5V 高度: 0.55mm 类型: 转向装置（轨至轨） 应用: 以太网，HDMI
AO3424
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V,3.8A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 3.8A 极性: N-沟道 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5V，10V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 制造商标准提前期: 16 周 输入电容Ciss: 270pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80毫欧@2A，10V FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 3.2nC 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.85mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V,3.8A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 品牌: AOS 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 3.8A 极性: N-沟道 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5V，10V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 制造商标准提前期: 16 周 输入电容Ciss: 270pF@15V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80毫欧@2A，10V FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 3.2nC 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.85mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AO3442
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 100V,1A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 技术: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压Vgs(th): 2.3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 1A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 100V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1A 配置: 单路 FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 6nC@10V 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 1.25mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 100V,1A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 技术: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压Vgs(th): 2.3V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 1A 包装: Tape/reel 漏源击穿电压BVDSS: 100V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 漏极电流Idss: 1A 配置: 单路 FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 6nC@10V 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 1.25mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AON7418
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：46A 功率(Pd)：6.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.7mΩ@10V,20A MOSFETN-CH30V46A8DFN
安装类型: SMT 品牌: AOS 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 46A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3X3MM 制造商标准提前期: 16 周 输入电容Ciss: 2.994nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.7毫欧@20A，10V 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 65nC@10V 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：46A 功率(Pd)：6.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.7mΩ@10V,20A MOSFETN-CH30V46A8DFN
安装类型: SMT 品牌: AOS 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 46A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_3X3MM 制造商标准提前期: 16 周 输入电容Ciss: 2.994nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.7毫欧@20A，10V 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 65nC@10V 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: 在售 晶体管类型: N沟道