AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO4485
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: SO-8 P-Channel -55°C~150°C ±20V -40V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V
安装类型: SMT 品牌: AOS 漏源电流(Idss): 10A 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 40V 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: America 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: SO-8 P-Channel -55°C~150°C ±20V -40V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V
安装类型: SMT 品牌: AOS 漏源电流(Idss): 10A 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 40V 阈值电压: 2.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: America 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 高度: 1.05mm 晶体管类型: P沟道
AO4264E
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: SO-8 N-Channel 20V 60V 13.5A 3.1W 9.8mΩ@10V
安装类型: SMT 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 13.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC-8 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 28pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25nC 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: SO-8 N-Channel 20V 60V 13.5A 3.1W 9.8mΩ@10V
安装类型: SMT 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 13.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOIC-8 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 28pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25nC 配置: 单路 Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
AOD444
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 60V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 12A
安装类型: SMT 品牌: AOS 漏源电流(Idss): 12A 阈值电压: 2.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 10nC@10V 零件状态: Active 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 60V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 12A
安装类型: SMT 品牌: AOS 漏源电流(Idss): 12A 阈值电压: 2.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 10nC@10V 零件状态: Active 高度: 2.29mm 晶体管类型: N沟道
AO6409
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道MOSFET TSOP6 VDS=20V VGS=±8V ID=5.5A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5.5A 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 1V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: TSOP-6 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±8V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17.2nC@4.5V 高度: 1.25mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道MOSFET TSOP6 VDS=20V VGS=±8V ID=5.5A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5.5A 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 阈值电压: 1V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: TSOP-6 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±8V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17.2nC@4.5V 高度: 1.25mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin
AO4402G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 20 V 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 1.25V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: America 连续漏极电流: 20A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5,4.5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 45nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 20 V 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 品牌: AOS 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 1.25V 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 原产地: America 连续漏极电流: 20A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 2.5,4.5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SO-8_4.9X3.9MM 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 45nC 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AONS62604
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N通道AlphaSGT TM VDS=60V VGS=±20V ID=100A DFN5X6
安装类型: SMT 阈值电压: 1.6V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN-8(5x6) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 3.66nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 4.1mΩ 栅极电荷(Qg): 90nC 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N通道AlphaSGT TM VDS=60V VGS=±20V ID=100A DFN5X6
安装类型: SMT 阈值电压: 1.6V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN-8(5x6) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 3.66nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 4.1mΩ 栅极电荷(Qg): 90nC 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AON7400A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs N-沟道 30V 40A DFN-8(3x3)
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: AOS 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.97V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40A 封装/外壳: DFN-8(3x3) 输入电容(Ci): 1.38nF 反向传输电容Crss: 105pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs N-沟道 30V 40A DFN-8(3x3)
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: AOS 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.97V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40A 封装/外壳: DFN-8(3x3) 输入电容(Ci): 1.38nF 反向传输电容Crss: 105pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
AO4435
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: SO-8 P-Channel 25V -30V -10.5A 3.1W 18mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 10.5A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流: 10.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 脚间距: 1.27mm FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: SO-8 P-Channel 25V -30V -10.5A 3.1W 18mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 10.5A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流: 10.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 脚间距: 1.27mm FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
AO3404A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 5.8A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5.8A 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.8A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.1nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 28mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 零件状态: Not For New Designs 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 5.8A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5.8A 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.8A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.1nC 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 28mΩ@10V 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 零件状态: Not For New Designs 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AON7409
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-channel VDS=30V ID=16A DFN8_3X3MM_EP
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 2.7V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,16A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 16A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 2.142nF@15V FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 58nC 高度: 0.80mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-channel VDS=30V ID=16A DFN8_3X3MM_EP
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 2.7V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,16A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 16A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 2.142nF@15V FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 58nC 高度: 0.80mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道