AOS
AOS Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO4485
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 10A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SOIC
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 10A 击穿电压: 40V 阈值电压: 2.5V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 3nF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±20V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 高度: 1.05mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 安装类型: SMT 功率耗散: 1.7W 反向传输电容Crss: 180pF 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 15mΩ@10V 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 10A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SOIC
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 10A 击穿电压: 40V 阈值电压: 2.5V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 3nF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±20V 栅极电荷(Qg): 55nC@10V 高度: 1.05mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 安装类型: SMT 功率耗散: 1.7W 反向传输电容Crss: 180pF 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 40V 导通电阻(RDS(on): 15mΩ@10V 类型: 1个P沟道
AO4264E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 13.5A（Ta） 3.1W（Ta） SOIC8
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 1.8V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 13.5A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 反向传输电容Crss: 28pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.1nF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 9.8mΩ@10V,13.5A 栅极电荷(Qg): 25nC 高度: 1.65mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 13.5A（Ta） 3.1W（Ta） SOIC8
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 1.8V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 13.5A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC-8 反向传输电容Crss: 28pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.1nF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): 20V 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 9.8mΩ@10V,13.5A 栅极电荷(Qg): 25nC 高度: 1.65mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
AOD444
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 60V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 12A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 12A 功率耗散: 20W 阈值电压: 2.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.5nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 10nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 60V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 12A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 12A 功率耗散: 20W 阈值电压: 2.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 12A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.5nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 10nC@10V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
AO6409
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道MOSFET TSOP6 VDS=20V VGS=±8V ID=5.5A
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 5.5A 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: TSOP-6 栅极源极击穿电压: ±8V 输入电容(Ci): 1.45nF@10V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) Vgs(Max): ±8V 栅极电荷(Qg): 17.2nC@4.5V 高度: 1.25mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin 安装类型: SMT 功率耗散: 2.1W 反向传输电容Crss: 80pF 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 45mΩ@4.5V 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道MOSFET TSOP6 VDS=20V VGS=±8V ID=5.5A
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 漏源电流(Idss): 5.5A 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: TSOP-6 栅极源极击穿电压: ±8V 输入电容(Ci): 1.45nF@10V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) Vgs(Max): ±8V 栅极电荷(Qg): 17.2nC@4.5V 高度: 1.25mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 6Pin 安装类型: SMT 功率耗散: 2.1W 反向传输电容Crss: 80pF 系列: - FET功能: - 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 45mΩ@4.5V 类型: 1个P沟道
AO4402G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 20 V 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 1.25V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8 反向传输电容Crss: 370pF@10V 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 3.3nF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 4.9mΩ@4.5V,20A 栅极电荷(Qg): 45nC 高度: 1.65mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 表面贴装型 N 通道 20 V 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 功率耗散: 3.1W 阈值电压: 1.25V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 20A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SO-8 反向传输电容Crss: 370pF@10V 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容(Ci): 3.3nF 工作温度: -55℃~+150℃ Vgs(Max): ±12V 漏源电压(Vdss): 20V 导通电阻(RDS(on): 4.9mΩ@4.5V,20A 栅极电荷(Qg): 45nC 高度: 1.65mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
AONS62604
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N通道AlphaSGT TM VDS=60V VGS=±20V ID=100A DFN5X6
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 功率耗散: 119W 阈值电压: 1.6V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN-8(5x6) 反向传输电容Crss: 108pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 3.66nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 4.1mΩ 栅极电荷(Qg): 90nC 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N通道AlphaSGT TM VDS=60V VGS=±20V ID=100A DFN5X6
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 功率耗散: 119W 阈值电压: 1.6V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN-8(5x6) 反向传输电容Crss: 108pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 3.66nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 漏源电压(Vdss): 60V 导通电阻(RDS(on): 4.1mΩ 栅极电荷(Qg): 90nC 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AON7400A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs N-沟道 30V 40A DFN-8(3x3)
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 30V 功率耗散: 25W 阈值电压: 1.97V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 反向传输电容Crss: 105pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.38nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 7.5mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 高度: 0.80mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs N-沟道 30V 40A DFN-8(3x3)
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 击穿电压: 30V 功率耗散: 25W 阈值电压: 1.97V 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN-8(3x3) 反向传输电容Crss: 105pF 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容(Ci): 1.38nF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 系列: - FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 导通电阻(RDS(on): 7.5mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 高度: 0.80mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin 类型: 1个N沟道
AO4435
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: SO-8 P-Channel 25V -30V -10.5A 3.1W 18mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 10.5A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流: 10.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 脚间距: 1.27mm FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: SO-8 P-Channel 25V -30V -10.5A 3.1W 18mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: AOS 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 10.5A 封装/外壳: SOIC8_150MIL 漏极电流: 10.5A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: America 脚间距: 1.27mm FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 24nC@10V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
AO3404A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 5.8A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5.8A 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.8A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 820pF@15V 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 41pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 5.8A
安装类型: SMT 漏源电流(Idss): 5.8A 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5.8A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 输入电容(Ci): 820pF@15V 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 41pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 FET功能: - Vgs(Max): ±20V 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AON7409
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-channel VDS=30V ID=16A DFN8_3X3MM_EP
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 2.7V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,16A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 16A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 2.142nF@15V FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 58nC 高度: 0.80mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-channel VDS=30V ID=16A DFN8_3X3MM_EP
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: AOS 阈值电压: 2.7V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,16A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 16A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 2.142nF@15V FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 58nC 高度: 0.80mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道