CW

商品列表
CW24C02AS5
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 2K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: SOT23-5/-40~85
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 2K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: SOT23-5/-40~85
CW24C02AP
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 2K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: DIP-8/-40~85
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 2K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: DIP-8/-40~85
CWS11N65AC
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
描述: 650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 650 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 300 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 360 最大漏极电流Id(on)(A):: 11 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-220-3/-55~125 描述:: 650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
描述: 650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 650 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 300 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 360 最大漏极电流Id(on)(A):: 11 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-220-3/-55~125 描述:: 650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
LM1117MPX-ADJ
供应商: Anychip Mall
分类: CW,低功耗低压差稳压器
描述: 800mA低压差线性稳压器
输出电压典型值(V):: Adj. 输出电流典型值(A):: 1 极性:: 正 压差典型值(V):: 1.2 输入电压最大值(V):: 15 封装/温度(℃):: SOT-223-4/-25~85 描述:: 1.0A,低功耗低压差稳压器
供应商: Anychip Mall
分类: CW,低功耗低压差稳压器
描述: 800mA低压差线性稳压器
输出电压典型值(V):: Adj. 输出电流典型值(A):: 1 极性:: 正 压差典型值(V):: 1.2 输入电压最大值(V):: 15 封装/温度(℃):: SOT-223-4/-25~85 描述:: 1.0A,低功耗低压差稳压器
CW24C08AT
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 8K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: TSSOP-8/-40~85
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 8K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: TSSOP-8/-40~85
CWS20N65AC
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 650 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 170 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 190 最大漏极电流Id(on)(A):: 20 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-220-3/-55~150 描述:: 650V,190mΩ,20A,N沟道超结功率MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 650 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 170 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 190 最大漏极电流Id(on)(A):: 20 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-220-3/-55~150 描述:: 650V,190mΩ,20A,N沟道超结功率MOSFET
CW24C256AM
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 256K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 5 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: MSOP-8/-40~85
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 256K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 5 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: MSOP-8/-40~85