LRC LESHAN RADIO CO LTD
Founded in 1970, Leshan Radio Co., Ltd. (abbreviated as LRC) is located in the historic and culture city--Leshan, the center of West China Development. It is a comprehensive electronic enterprise majored in manufacturing of discrete semiconductor devices. After decades of arduous efforts and hard work in China’s reform and opening up, LRC now has grown rapidly into an enterprise group with several wholly-owned subsidiaries and also joint-ventures.
商品列表
S8MC
供应商: Anychip Mall
分类: 整流二极管/整流桥
描述: VFM:1.1V IFM:8A VPK:1000V IO:8A IR:5µA trr:nanns
安装类型: SMT 正向电流: 8A 是否无铅: Yes 二极管配置: 独立式 总电容C: 35pF 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 正向压降VF: 1.1V 存储温度: -50~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.85 x 6.05mm 元件生命周期: Active 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 工作温度: -50℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1kV 平均整流电流: 8A 认证信息: RoHS,HF(halogen free) 正向压降VF Max: 1.1V 高度: 2.65mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 整流二极管/整流桥
描述: VFM:1.1V IFM:8A VPK:1000V IO:8A IR:5µA trr:nanns
安装类型: SMT 正向电流: 8A 是否无铅: Yes 二极管配置: 独立式 总电容C: 35pF 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 正向压降VF: 1.1V 存储温度: -50~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.85 x 6.05mm 元件生命周期: Active 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 工作温度: -50℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1kV 平均整流电流: 8A 认证信息: RoHS,HF(halogen free) 正向压降VF Max: 1.1V 高度: 2.65mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
LR78L05A
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器（LDO）
描述: Three Terminals Regulator
安装类型: SMT 特性: 防静电保护；短路保护；热保护(TSD)；过流保护(OCP) 电源抑制比(PSRR): 49dB 压差: 1.7V 工作电压: 30V 极性: 正极 输入电压: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT-89-3 工作温度: -40℃~+150℃ 输出电流: 100mA 静态电流: 2mA 输出通道数: 1 输出电压: 5V 高度: 1.50mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器（LDO）
描述: Three Terminals Regulator
安装类型: SMT 特性: 防静电保护；短路保护；热保护(TSD)；过流保护(OCP) 电源抑制比(PSRR): 49dB 压差: 1.7V 工作电压: 30V 极性: 正极 输入电压: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT-89-3 工作温度: -40℃~+150℃ 输出电流: 100mA 静态电流: 2mA 输出通道数: 1 输出电压: 5V 高度: 1.50mm 引脚数: 3Pin
LESD8D12CT5G
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 双向 1通道 VRWM=12V VBR(Min)=13.3V VC=22V IPP=4A Ppp=88W SOD882
安装类型: SMT 钳位电压: 18V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 13.3V 功率-峰值脉冲: 88W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 反向断态电压: 12V 封装/外壳: SOD-882 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 通道数: 1 高度: 0.58mm 结电容: 9.5pF 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 类型: ESD
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 双向 1通道 VRWM=12V VBR(Min)=13.3V VC=22V IPP=4A Ppp=88W SOD882
安装类型: SMT 钳位电压: 18V 反向漏电流 IR: 1μA 击穿电压: 13.3V 功率-峰值脉冲: 88W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 反向断态电压: 12V 封装/外壳: SOD-882 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 通道数: 1 高度: 0.58mm 结电容: 9.5pF 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 类型: ESD
LBC817-40WT1G
供应商: Anychip Mall
分类: BJT三极管
描述: SC-70 150mW NPN 45V 500mA
安装类型: SMT 功率耗散: 150mW 集射极击穿电压Vceo: 45V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 45V 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 特征频率(fT): 100MHz 高度: 1.00mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 250~600 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: BJT三极管
描述: SC-70 150mW NPN 45V 500mA
安装类型: SMT 功率耗散: 150mW 集射极击穿电压Vceo: 45V 集射极饱和电压(VCE(sat)): 45V 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 封装/外壳: SOT-323 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 500mA 特征频率(fT): 100MHz 高度: 1.00mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 250~600 引脚数: 3Pin
LBZT52C6V2T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: VZ:6.2V IZT:5mA PD:500mW
湿气敏感性等级 (MSL): - 安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 5.8V~6.6V Izt-测试电流: 5mA 功率耗散: 500mW 最大稳压值: 6.6V 正向压降VF: 900mV Zzt阻抗: 150Ω 长x宽/尺寸: 2.69 x 1.60mm 反向漏电流IR: 3μA 封装/外壳: SOD-123 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 标准稳压值: 6.2V 最小稳压值: 5.8V 高度: 1.17mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: VZ:6.2V IZT:5mA PD:500mW
湿气敏感性等级 (MSL): - 安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 5.8V~6.6V Izt-测试电流: 5mA 功率耗散: 500mW 最大稳压值: 6.6V 正向压降VF: 900mV Zzt阻抗: 150Ω 长x宽/尺寸: 2.69 x 1.60mm 反向漏电流IR: 3μA 封装/外壳: SOD-123 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 标准稳压值: 6.2V 最小稳压值: 5.8V 高度: 1.17mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
LBZT52B33T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 表面安装齐纳二极管SOD123 500mW VF=0.9V Vz=33V
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 32.15V~33.79V Izt-测试电流: 5mA 功率耗散: 500mW 最大稳压值: 33.79V Zzt阻抗: 250Ω 长x宽/尺寸: 2.69 x 1.60mm 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD-123 工作温度: -55℃~+150℃ 标准稳压值: 33V 最小稳压值: 32.15V 反向耐压VR: 25V 高度: 1.17mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 表面安装齐纳二极管SOD123 500mW VF=0.9V Vz=33V
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 32.15V~33.79V Izt-测试电流: 5mA 功率耗散: 500mW 最大稳压值: 33.79V Zzt阻抗: 250Ω 长x宽/尺寸: 2.69 x 1.60mm 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD-123 工作温度: -55℃~+150℃ 标准稳压值: 33V 最小稳压值: 32.15V 反向耐压VR: 25V 高度: 1.17mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
LBC807-16LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: PNP VCEO:45V IC:500mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 225mW 集电极-基极电压（VCBO）: -50V 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 45V 原产地: China 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -50℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -10℃~+105℃ 认证信息: RoHS 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 100~250 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: PNP VCEO:45V IC:500mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 225mW 集电极-基极电压（VCBO）: -50V 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: PNP 集射极击穿电压Vceo: 45V 原产地: China 长x宽/尺寸: 3.04 x 1.40mm 存储温度: -50℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -10℃~+105℃ 认证信息: RoHS 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 100~250 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
LM5Z9V1T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳二极管5mA 15Ω Single 8.5V~9.6V 200mW 9.1V SOD-523
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 8.5V~9.6V Izt-测试电流: 5mA 功率耗散: 200mW 最大稳压值: 9.6V Zzt阻抗: 15Ω 长x宽/尺寸: 1.20 x 0.80mm 反向漏电流IR: 200nA 封装/外壳: SOD-523(SC-79) 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 标准稳压值: 9.1V 最小稳压值: 8.5V 高度: 0.70mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 齐纳二极管5mA 15Ω Single 8.5V~9.6V 200mW 9.1V SOD-523
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 稳压值(范围): 8.5V~9.6V Izt-测试电流: 5mA 功率耗散: 200mW 最大稳压值: 9.6V Zzt阻抗: 15Ω 长x宽/尺寸: 1.20 x 0.80mm 反向漏电流IR: 200nA 封装/外壳: SOD-523(SC-79) 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 标准稳压值: 9.1V 最小稳压值: 8.5V 高度: 0.70mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
LP2309LT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 低功耗MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.4W 击穿电压: 60V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.9A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS,HF(halogen free) 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 应用: Consumer,Industrial
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 低功耗MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.4W 击穿电压: 60V 阈值电压: 3V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 1.9A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 Vgs(Max): ±20V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS,HF(halogen free) 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin 应用: Consumer,Industrial
S-LUDZS3.9BT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: S-LUDZS3.9BT1G 二极管配置:独立式 稳压值(范围):3.89V~4.16V 功率:200mW
反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOD323 包装: Tape/Reel 安装类型: SMT 工作温度: -55~+150℃ 最大耗散功率: 200mW 最小稳压值: 3.89V 认证信息: RoHS Zzk阻抗Max: 1000Ω 原产国家: China 正向压降VF Max: OriginalV 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 应用等级: AEC-Q101 是否无铅: Yes 最小包装: 3000pcs 热阻: 635℃/W 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.25mm 品牌: LRC 高度: 0.90mm Vr - 反向电压: 1V
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: S-LUDZS3.9BT1G 二极管配置:独立式 稳压值(范围):3.89V~4.16V 功率:200mW
反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOD323 包装: Tape/Reel 安装类型: SMT 工作温度: -55~+150℃ 最大耗散功率: 200mW 最小稳压值: 3.89V 认证信息: RoHS Zzk阻抗Max: 1000Ω 原产国家: China 正向压降VF Max: OriginalV 原始制造商: Leshan Radio Co., Ltd. 应用等级: AEC-Q101 是否无铅: Yes 最小包装: 3000pcs 热阻: 635℃/W 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.25mm 品牌: LRC 高度: 0.90mm Vr - 反向电压: 1V