LP2309LT1G
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs P-沟道 60V 1.9A SOT-23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 功率耗散: | 1.4W |
| 击穿电压: | 60V |
| 阈值电压: | 3V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 1.9A |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 认证信息: | RoHS,HF(halogen free) |
| 高度: | 1.00mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 应用: | Consumer,Industrial |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.5049 |
| 50+ | ¥0.3992 |
| 150+ | ¥0.3472 |
| 500+ | ¥0.3051 |
| 3000+ | ¥0.2715 |
| 6000+ | ¥0.2547 |
| 包装：5 | 库存：6060 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.1706 |
| 100+ | ¥0.1666 |
| 3000+ | ¥0.1617 |
| 包装：1 | 库存：1146 |