LP2309LT1G
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
低功耗MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 功率耗散: | 1.4W |
| 击穿电压: | 60V |
| 阈值电压: | 3V@250μA |
| 无卤: | Yes |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 215mΩ@10V,1.8A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 1.9A |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 17.4pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.4038 |
| 100+ | ¥0.3201 |
| 600+ | ¥0.3153 |
| 1200+ | ¥0.3059 |
| 包装：10 | 库存：781 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.1706 |
| 100+ | ¥0.1666 |
| 3000+ | ¥0.1617 |
| 包装：1 | 库存：1366 |