INFINEON
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XC878CM16FFA5VACXXUMA1
供应商: DigiKey
分类: 嵌入式 - 微控制器
描述: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 64LQFP
制造商: Infineon Technologies 系列: XC8xx 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 核心处理器: XC800 内核规格: 8 位 速度: 27MHz 连接能力: CANbus，SPI，SSI，UART/USART 外设: 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT 程序存储容量: 64KB（64K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 3.25K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 8x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 64-LQFP 供应商器件封装: PG-LQFP-64 I/O 数: 40 基本产品编号: SA*XC878CM
供应商: DigiKey
分类: 嵌入式 - 微控制器
描述: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 64LQFP
制造商: Infineon Technologies 系列: XC8xx 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 核心处理器: XC800 内核规格: 8 位 速度: 27MHz 连接能力: CANbus，SPI，SSI，UART/USART 外设: 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT 程序存储容量: 64KB（64K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 3.25K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 8x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 64-LQFP 供应商器件封装: PG-LQFP-64 I/O 数: 40 基本产品编号: SA*XC878CM
6EDL04I06NCX1SA1
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 栅极驱动器
描述: 半桥 Gate Driver IC 非反相 芯片
类别: 集成电路（IC） 制造商: Infineon Technologies 系列: EiceDriver™ 包装: 散装 零件状态: 在售 驱动配置: 半桥 通道类型: 3 相 驱动器数: 6 栅极类型: IGBT 电压-电源: 13V ~ 17.5V 逻辑电压 -VIL，VIH: 1.1V，1.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）: - 输入类型: 非反相 高压侧电压-最大值（自举）: 600V 上升/下降时间（典型值）: 60ns，26ns 工作温度: -40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 芯片
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 栅极驱动器
描述: 半桥 Gate Driver IC 非反相 芯片
类别: 集成电路（IC） 制造商: Infineon Technologies 系列: EiceDriver™ 包装: 散装 零件状态: 在售 驱动配置: 半桥 通道类型: 3 相 驱动器数: 6 栅极类型: IGBT 电压-电源: 13V ~ 17.5V 逻辑电压 -VIL，VIH: 1.1V，1.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）: - 输入类型: 非反相 高压侧电压-最大值（自举）: 600V 上升/下降时间（典型值）: 60ns，26ns 工作温度: -40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 芯片
IRGPC50U
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT UFAST 600V 55A TO-247AC
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 3V @ 15V，27A 输入类型: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AC 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 55 A 功率 - 最大值: 200 W
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT UFAST 600V 55A TO-247AC
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 3V @ 15V，27A 输入类型: 标准 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AC 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 55 A 功率 - 最大值: 200 W
SRF55V02PNB
供应商: DigiKey
分类: RFID，射频接入，监控 IC
描述: IC EEPROM 2KBIT INTELLIG WAFER
制造商: Infineon Technologies 系列: * 包装: 散装 零件状态: Digi-Key 停产
供应商: DigiKey
分类: RFID，射频接入，监控 IC
描述: IC EEPROM 2KBIT INTELLIG WAFER
制造商: Infineon Technologies 系列: * 包装: 散装 零件状态: Digi-Key 停产
TZ425N12KOF
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 结构: 单一 SCR数，二极管: 1 SCR 电压-断态: 1.2kV 电流-通态（It（AV））（最大值）: 510A 电流-通态（It（RMS））（最大值）: 800A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）: 1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）: 250mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）: 14500A @ 50Hz 电流-保持（Ih）（最大值）: 300mA 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 结构: 单一 SCR数，二极管: 1 SCR 电压-断态: 1.2kV 电流-通态（It（AV））（最大值）: 510A 电流-通态（It（RMS））（最大值）: 800A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）: 1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）: 250mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）: 14500A @ 50Hz 电流-保持（Ih）（最大值）: 300mA 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块
IKZ75N65ES5XKSA1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
制造商: Infineon Technologies 系列: TrenchStop™ 5 包装: 管件 零件状态: 在售 IGBT 类型: 沟道 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 1.75V @ 15V，75A 开关能量: 1.3mJ（开），1.5mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 46ns/405ns 测试条件: 400V，15A，22.3 欧姆，15V 工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-4 供应商器件封装: PG-TO247-4 电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A 功率 - 最大值: 395 W 栅极电荷: 164 nC 反向恢复时间 (trr): 72 ns 基本产品编号: IKZ75N65
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
制造商: Infineon Technologies 系列: TrenchStop™ 5 包装: 管件 零件状态: 在售 IGBT 类型: 沟道 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 1.75V @ 15V，75A 开关能量: 1.3mJ（开），1.5mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 46ns/405ns 测试条件: 400V，15A，22.3 欧姆，15V 工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-4 供应商器件封装: PG-TO247-4 电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A 功率 - 最大值: 395 W 栅极电荷: 164 nC 反向恢复时间 (trr): 72 ns 基本产品编号: IKZ75N65
BSC014N03MSG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 30A（Ta），100A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 173nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 13000pF @ 15V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），139W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.4 毫欧 @ 30A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-TDSON-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 30A（Ta），100A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 173nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 13000pF @ 15V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），139W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.4 毫欧 @ 30A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-TDSON-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN
BAR64-05E6433
供应商: DigiKey
分类: RF 二极管
PCN过时产品/EOL: Multiple Devices 18/Aug/2014Multiple Devices Revision 17/Nov/2014 PCN封装: Carrier Tape Update 03/Jun/2015 类别: 分立半导体产品 家庭: RF 二极管 系列: - 包装: 带卷（TR） 二极管类型: PIN - 1 对共阴极 电压-峰值反向（最大值）: 150V 电流-最大值: 100mA 不同 Vr，F时的电容: 0.35pF @ 20V，1MHz 不同 If，F时的电阻: 1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）: 250mW 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23-3 其它名称: BAR6405E6433HTMA1BAR6405E6433XTSP000012214
供应商: DigiKey
分类: RF 二极管
PCN过时产品/EOL: Multiple Devices 18/Aug/2014Multiple Devices Revision 17/Nov/2014 PCN封装: Carrier Tape Update 03/Jun/2015 类别: 分立半导体产品 家庭: RF 二极管 系列: - 包装: 带卷（TR） 二极管类型: PIN - 1 对共阴极 电压-峰值反向（最大值）: 150V 电流-最大值: 100mA 不同 Vr，F时的电容: 0.35pF @ 20V，1MHz 不同 If，F时的电阻: 1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）: 250mW 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23-3 其它名称: BAR6405E6433HTMA1BAR6405E6433XTSP000012214
PTVA123501ECV2XWSA1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
描述: IC AMP RF LDMOS
制造商: Infineon Technologies 系列: * 包装: 托盘 零件状态: 停產
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
描述: IC AMP RF LDMOS
制造商: Infineon Technologies 系列: * 包装: 托盘 零件状态: 停產
BUP213
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 32A 200W TO220
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 3.2V @ 15V，15A 开关能量: - 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 70ns/400ns 测试条件: 600V，15A，82 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220AB 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 32 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 64 A 功率 - 最大值: 200 W
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 32A 200W TO220
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 3.2V @ 15V，15A 开关能量: - 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 70ns/400ns 测试条件: 600V，15A，82 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220AB 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 32 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 64 A 功率 - 最大值: 200 W