INFINEON
商品列表
V23826-K15-C63
供应商: DigiKey
分类: 光纤 - 收发器模块
描述: TXRX SGL MODE 1300NM 1.3GBIT
制造商: Infineon Technologies 系列: - 零件状态: 停產 数据速率: 1.3Gbps 波长: 1300nm 应用: 以太网 电压 - 供电: 4.75V ~ 5.25V 连接器类型: SC 安装类型: 通孔
供应商: DigiKey
分类: 光纤 - 收发器模块
描述: TXRX SGL MODE 1300NM 1.3GBIT
制造商: Infineon Technologies 系列: - 零件状态: 停產 数据速率: 1.3Gbps 波长: 1300nm 应用: 以太网 电压 - 供电: 4.75V ~ 5.25V 连接器类型: SC 安装类型: 通孔
IPS7081RTRLPBF
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 配电开关，负载驱动器
PCN过时产品/EOL: Intelligent Power Switch Devices 17/Sep/2014 类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 配电开关，负载驱动器 系列: - 包装: Digi-Reel® 开关类型: 通用 输出数: 1 比率-输入:输出: 1：1 输出配置: 高端 输出类型: N 通道 接口: 开/关 电压-负载: 6 V ~ 35 V 电压-电源（Vcc/Vdd）: 不需要 电流-输出（最大值）: 2.3A 导通电阻（典型值）: 55 毫欧 输入类型: 非反相 特性: 带有自动重启功能 故障保护: 限流（固定），开路负载检测，超温 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 封装/外壳: TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装: D-Pak 5-引线 其它名称: IPS7081RTRLPBFDKR
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 配电开关，负载驱动器
PCN过时产品/EOL: Intelligent Power Switch Devices 17/Sep/2014 类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 配电开关，负载驱动器 系列: - 包装: Digi-Reel® 开关类型: 通用 输出数: 1 比率-输入:输出: 1：1 输出配置: 高端 输出类型: N 通道 接口: 开/关 电压-负载: 6 V ~ 35 V 电压-电源（Vcc/Vdd）: 不需要 电流-输出（最大值）: 2.3A 导通电阻（典型值）: 55 毫欧 输入类型: 非反相 特性: 带有自动重启功能 故障保护: 限流（固定），开路负载检测，超温 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 封装/外壳: TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装: D-Pak 5-引线 其它名称: IPS7081RTRLPBFDKR
XC2765X104F80LAAKXUMA1
供应商: DigiKey
分类: 嵌入式 - 微控制器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Infineon Technologies 系列: XC27x5X 包装: 带卷（TR） 零件状态: 最後搶購 核心处理器: C166SV2 核心尺寸: 16/32-位 速度: 80MHz 连接性: CAN，EBI/EMI，I²C，LINbus，SPI，SSC，UART/USART，USI 外设: I²S，POR，PWM，WDT I/O数: 75 程序存储容量: 832KB（832K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM容量: - RAM容量: 50K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）: 3 V ~ 5.5 V 数据转换器: A/D 16x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 封装/外壳: 100-LQFP 裸露焊盘 供应商器件封装: PG-LQFP-100-8 基本零件编号: SA*XC2765X
供应商: DigiKey
分类: 嵌入式 - 微控制器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Infineon Technologies 系列: XC27x5X 包装: 带卷（TR） 零件状态: 最後搶購 核心处理器: C166SV2 核心尺寸: 16/32-位 速度: 80MHz 连接性: CAN，EBI/EMI，I²C，LINbus，SPI，SSC，UART/USART，USI 外设: I²S，POR，PWM，WDT I/O数: 75 程序存储容量: 832KB（832K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM容量: - RAM容量: 50K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）: 3 V ~ 5.5 V 数据转换器: A/D 16x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 封装/外壳: 100-LQFP 裸露焊盘 供应商器件封装: PG-LQFP-100-8 基本零件编号: SA*XC2765X
BCW60CE6327
供应商: DigiKey
分类: 晶体管（BJT） - 单路
PCN封装: Carrier Tape Update 03/Jun/2015 类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 单路 系列: - 包装: 带卷（TR） 晶体管类型: NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 32V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 550mV @ 1.25mA，50mA 电流-集电极截止（最大值）: 20nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 250 @ 2mA，5V 功率-最大值: 330mW 频率-跃迁: 250MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23-3 其它名称: BCW 60C E6327-NDBCW60CE6327BCW60CE6327HTSA1BCW60CE6327XTSP000010548
供应商: DigiKey
分类: 晶体管（BJT） - 单路
PCN封装: Carrier Tape Update 03/Jun/2015 类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 单路 系列: - 包装: 带卷（TR） 晶体管类型: NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 32V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 550mV @ 1.25mA，50mA 电流-集电极截止（最大值）: 20nA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 250 @ 2mA，5V 功率-最大值: 330mW 频率-跃迁: 250MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: PG-SOT23-3 其它名称: BCW 60C E6327-NDBCW60CE6327BCW60CE6327HTSA1BCW60CE6327XTSP000010548
BSC016N06NS
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 30A（Ta），100A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 6V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.8V @ 95µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 71nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 5200pF @ 30V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），139W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.6 毫欧 @ 50A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-TDSON-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 30A（Ta），100A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 6V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.8V @ 95µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 71nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 5200pF @ 30V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），139W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.6 毫欧 @ 50A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-TDSON-8 封装/外壳: 8-PowerTDFN
ISS06P011LXTSA1
供应商: DigiKey
分类: 其它
描述: SMALL SIGNAL MOSFETS
类别: 未分类 制造商: Infineon Technologies 系列: * 零件状态: 在售
供应商: DigiKey
分类: 其它
描述: SMALL SIGNAL MOSFETS
类别: 未分类 制造商: Infineon Technologies 系列: * 零件状态: 在售
IPB042N10N3G
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 100A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 6V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 150µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 117nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 8410pF @ 50V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 214W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.2 毫欧 @ 50A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-TO263-3 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 100A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 6V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 150µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 117nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 8410pF @ 50V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 214W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.2 毫欧 @ 50A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-TO263-3 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
ESD8V0R1B-02ELE6433
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 14V 28V TSLP-2
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 14V（最大） 电压 - 击穿（最小值）: 8.5V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 28V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1A（8/20µs） 功率 - 峰值脉冲: - 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: 4pF @ 1MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-882 供应商器件封装: PG-TSLP-2 双向通道: 1 基本产品编号: ESD8V0
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 14V 28V TSLP-2
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 14V（最大） 电压 - 击穿（最小值）: 8.5V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 28V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1A（8/20µs） 功率 - 峰值脉冲: - 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: 4pF @ 1MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-882 供应商器件封装: PG-TSLP-2 双向通道: 1 基本产品编号: ESD8V0
BSP76E6433
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
PCN组件/产地: Alternative Wafer Production 16/Jun/2014 类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 配电开关，负载驱动器 系列: HITFET® 包装: Digi-Reel® 开关类型: 通用 输出数: 1 比率-输入:输出: 1：1 输出配置: 低端 输出类型: N 通道 接口: 开/关 电压-负载: 42V（最大） 电压-电源（Vcc/Vdd）: 不需要 电流-输出（最大值）: 1.4A 导通电阻（典型值）: 150 毫欧 输入类型: 非反相 特性: 带有自动重启功能 故障保护: 限流（固定），超温，过压 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: PG-SOT223-4 其它名称: BSP76 E6433DKR
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
PCN组件/产地: Alternative Wafer Production 16/Jun/2014 类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 配电开关，负载驱动器 系列: HITFET® 包装: Digi-Reel® 开关类型: 通用 输出数: 1 比率-输入:输出: 1：1 输出配置: 低端 输出类型: N 通道 接口: 开/关 电压-负载: 42V（最大） 电压-电源（Vcc/Vdd）: 不需要 电流-输出（最大值）: 1.4A 导通电阻（典型值）: 150 毫欧 输入类型: 非反相 特性: 带有自动重启功能 故障保护: 限流（固定），超温，过压 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装: PG-SOT223-4 其它名称: BSP76 E6433DKR
SPD30N03S2L-10G
供应商: DigiKey
分类: FET - 单
PCN封装: Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: OptiMOS™ 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 30A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 10 毫欧 @ 30A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 41.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1550pF @ 25V 功率-最大值: 100W 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: PG-TO252-3 其它名称: SP000443918SPD30N03S2L10GBTMA1
供应商: DigiKey
分类: FET - 单
PCN封装: Cover Tape Width Update 17/Jun/2015Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: OptiMOS™ 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 30A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 10 毫欧 @ 30A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 41.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1550pF @ 25V 功率-最大值: 100W 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: PG-TO252-3 其它名称: SP000443918SPD30N03S2L10GBTMA1