FQB6N15TM
品牌
ONSEMI
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 150V 6.4A D2PAK
物料参数
| ==onsemi<: | >==QFET® |
| ==卷带（TR）<: | >零件状态==停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 600 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 8.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 270 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.75W（Ta），63W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |