WSD3067DN56

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss):30/-30V 连续漏极电流(Id):24/-19.8A 功率(Pd):18.9W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:30V
阈值电压:1.8V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:24A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN5x6-8L
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:8.3nC
配置:单路
输入电容:395pF
Vgs(Max):±20V
应用等级:Consumer
漏源电压(Vdss):30V
认证信息:RoHS
晶体管类型:N沟道和P沟道互补型
应用:Consumer
价格梯度 价格
1+¥1.4448
10+¥1.3608
30+¥1.1928
100+¥1.0668
500+¥0.9828
1000+¥0.9240
包装:1 库存:994