VB1101M

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3.6A RDS(ON)=141mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):134mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3.6A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:2.9nC
配置:单路
输入电容:190pF
Vgs(Max):±20V
应用等级:Consumer
漏源电压(Vdss):100V
认证信息:RoHS, HF(halogen free),
栅极电荷(Qg):10.4nC
高度:1.12mm
晶体管类型:N沟道
应用:Consumer
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥0.8439
50+¥0.8248
包装:5 库存:100