NCE60P12K
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 功率耗散: | 50W |
| 阈值电压: | 2.2V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 长x宽/尺寸: | 6.70 x 6.20mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 充电电量: | 37.6nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | 20V |
| 最小包装: | 2500pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 导通电阻(RDS(on): | 100mΩ@10V,12A |
| 栅极电荷(Qg): | 37.6nC |
| 高度: | 2.40mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥2.3155 |
| 50+ | ¥1.8533 |
| 150+ | ¥1.6618 |
| 500+ | ¥1.3991 |
| 2500+ | ¥1.2820 |
| 5000+ | ¥1.2119 |
| 包装：5 | 库存：346 |