NCE60P12K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:50W
阈值电压:2.2V
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,12A
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:12A
长x宽/尺寸:6.70 x 6.20mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
反向传输电容Crss:77.3pF
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
Vgs(Max):20V
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):37.6nC
高度:2.40mm
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
5+¥1.3741
50+¥1.0566
500+¥0.7509
1000+¥0.7396
2500+¥0.6753
包装:5 库存:997
价格梯度 价格
1+¥0.7742
包装:1 库存:80