NCE60P12K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
漏源电流(Idss):1uA
击穿电压:60V
阈值电压:2.2V
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:12A
封装/外壳:TO-252(DPAK)
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:37.6nC
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):37.6nC
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥2.8910
50+¥2.2246
500+¥2.2024
1000+¥2.1583
包装:5 库存:997
价格梯度 价格
1+¥0.7742
包装:1 库存:66