NCE60P12K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):1uA
功率耗散:50W
阈值电压:2.2V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:12A
存储温度:-55℃~+175℃
长x宽/尺寸:6.70 x 6.20mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:77.3pF
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
Vgs(Max):20V
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):60V
导通电阻(RDS(on):100mΩ@10V,12A
栅极电荷(Qg):37.6nC
高度:2.40mm
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
5+¥2.1462
50+¥1.6464
500+¥1.1760
1000+¥1.1584
包装:5 库存:997
价格梯度 价格
1+¥0.7742
包装:1 库存:76