VBA3222

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs N-沟道 20V 7.1A SOIC-8

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
功率耗散:2W
阈值电压:1.5V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:7.1A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC-8
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:双路
Vgs(Max):±12V
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):9.5nC
高度:1.75mm
晶体管类型:2个N沟道(双)
引脚数:8Pin
无库存