VBA3222

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.1A RDS(ON)=19mΩ@4.5V SOIC8_150MIL

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
阈值电压:1.5V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:7.1A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOIC8_150MIL
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:双路
原产国家:China Taiwan
Vgs(Max):±12V
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):9.5nC
零件状态:Active
高度:1.75mm
晶体管类型:2个N沟道(双)
价格梯度 价格
1+¥1.6272
10+¥1.5255
50+¥1.3730
150+¥1.2713
300+¥1.2001
500+¥1.1696
包装:1 库存:0