VBTA2245N
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=550mA RDS(ON)=450mΩ@4.5V SC75
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 1V@250μA |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 550mA |
| 长x宽/尺寸: | 1.58 x 0.76mm |
| 封装/外壳: | SOT-416 |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 反向传输电容Crss: | 10pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 1.65nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 450mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 2.5nC |
| 高度: | 0.80mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.6784 |
| 10+ | ¥0.6360 |
| 50+ | ¥0.5724 |
| 150+ | ¥0.5300 |
| 300+ | ¥0.5003 |
| 500+ | ¥0.4876 |
| 包装：1 | 库存：0 |