VBTA2245N
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=550mA RDS(ON)=450mΩ@4.5V SC75
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 品牌: | VBsemi |
| 功率耗散: | 190mW |
| 阈值电压: | 1V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 550mA |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-416 |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 1.65nC |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | 45pF |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 2.5nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.6784 |
| 10+ | ¥0.6360 |
| 50+ | ¥0.5724 |
| 150+ | ¥0.5300 |
| 300+ | ¥0.5003 |
| 500+ | ¥0.4876 |
| 包装：1 | 库存：0 |