SI2301ADS
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TECH PUBLIC
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3A P=1W SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 1W |
| 阈值电压: | 0.7V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 3A |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 55pF@10V |
| 输入电容(Ci): | 405pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 12nC |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 认证信息: | RoHS |
| 导通电阻(RDS(on): | 64mΩ@4.5V,3A |
| 栅极电荷(Qg): | 12nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.4397 |
| 100+ | ¥0.3495 |
| 600+ | ¥0.3043 |
| 1200+ | ¥0.2998 |
| 3000+ | ¥0.2366 |
| 包装：10 | 库存：3000 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.2156 |
| 包装：10 | 库存：307 |