SI2301ADS
品牌
TECH PUBLIC
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道 耐压:20V 电流:3A
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | TECH PUBLIC |
| 功率耗散: | 1W |
| 阈值电压: | 0.7V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 3A |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 反向传输电容Crss: | 55pF |
| 输入电容(Ci): | 405pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 12nC |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 认证信息: | RoHS |
| 导通电阻(RDS(on): | 64mΩ@4.5V,3A |
| 栅极电荷(Qg): | 12nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.4422 |
| 100+ | ¥0.3584 |
| 300+ | ¥0.3174 |
| 3000+ | ¥0.2504 |
| 6000+ | ¥0.2236 |
| 9000+ | ¥0.2102 |
| 包装：10 | 库存：7000 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.2156 |
| 包装：10 | 库存：177 |