SI2301S
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：210mΩ@2.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | No |
| 功率耗散: | 1W |
| 阈值电压: | -0.6V |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 2.3A |
| 长x宽/尺寸: | 2.90 x 1.30mm |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 输入电容(Ci): | 177pF |
| 工作温度: | +150℃ |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 210mΩ@2.5V,1A |
| 栅极电荷(Qg): | 5.3nC |
| 高度: | 1.00mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.1791 |
| 包装：10 | 库存：14 |