2301A

品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
9V P 沟道增强型 MOS 场效应管

物料参数

安装类型:SMT
品牌:FM
功率耗散:1.25W
击穿电压:9V
阈值电压:1V@250µA
原始制造商:SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:2A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
漏极电流:-2A
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):110mΩ
原产国家:China
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):9V
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道