

2301A
品牌
FM
供应商

分类
晶体管 > MOSFETs
描述
9V P 沟道增强型 MOS 场效应管
物料参数
安装类型: | SMT |
品牌: | FM |
功率耗散: | 1.25W |
击穿电压: | 9V |
阈值电压: | 1V@250µA |
原始制造商: | SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. |
包装: | Tape/reel |
极性: | P-沟道 |
连续漏极电流: | 2A |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
封装/外壳: | SOT-23 |
漏极电流: | -2A |
工作温度: | -55℃~+150℃ |
配置: | 单路 |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 110mΩ |
原产国家: | China |
最小包装: | 3000pcs |
漏源电压(Vdss): | 9V |
零件状态: | Active |
晶体管类型: | P沟道 |