2301A

品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
9V P 沟道增强型 MOS 场效应管

物料参数

安装类型:SMT
品牌:FM
漏源电流(Idss):-2A
击穿电压:9V
阈值电压:1V
原始制造商:SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
原产地:China
连续漏极电流:2A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.00 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±8.5V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):9V
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
50+¥0.0900
500+¥0.0810
5000+¥0.0750
10000+¥0.0720
30000+¥0.0690
50000+¥0.0672
包装:50 库存:17120