2302B
品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
30V N 沟道增强型 MOS 场效应管
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 2.4A |
| 功率耗散: | 1.25W |
| 阈值电压: | 3V |
| 原始制造商: | SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 2.4A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.00 x 1.40mm |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 75mΩ |
| 高度: | 1.15mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
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