NCE30P20Q
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 击穿电压: | 30V |
| 阈值电压: | 1.5V@250µA |
| 额定功率: | 35W |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 20A |
| 封装/外壳: | DFN-8-EP(3.3x3.3) |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 227pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 45.6nC |
| 高度: | 0.75mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.4752 |
| 50+ | ¥1.1344 |
| 1000+ | ¥1.1173 |
| 2000+ | ¥1.0838 |
| 包装：5 | 库存：1804 |