NCE30P20Q

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:35W
阈值电压:1.5V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
连续漏极电流:20A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN-8-EP(3.3x3.3)
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:45.6nC
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):20V
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):45.6nC
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
5+¥1.3223
50+¥1.0168
1000+¥0.7226
2000+¥0.6498
5000+¥0.6061
包装:5 库存:2294