2SJ179

制造商: VBSEMI 供应商:

分类: MOSFETs

Datasheet:

描述: MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:2.5W
阈值电压Vgs(th):2.5V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:6A
极性:P-沟道
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT89
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:145pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:13nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):56mΩ
栅极电荷(Qg)(Max):38nC
漏源电压(Vdss):30V
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET
引脚数:3Pin