2SJ179

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
功率耗散:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:6A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT89-3
输入电容(Ci):1.355nF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:13nC
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:1000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):38nC
高度:1.60mm
晶体管类型:MOSFET
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥1.2460
10+¥1.1748
30+¥1.0324
100+¥0.9256
500+¥0.8544
1000+¥0.8046
包装:1 库存:1748