2SJ179
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 击穿电压: | 30V |
| 阈值电压: | 2.5V@250µA |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 56mΩ |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 6A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT89-3 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 145pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 38nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | MOSFET |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.4189 |
| 50+ | ¥1.1141 |
| 200+ | ¥0.9835 |
| 400+ | ¥0.9688 |
| 1000+ | ¥0.8206 |
| 包装：5 | 库存：1748 |