SI1967DH-T1-GE3
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SC-70-6
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 1.14W |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 1.6A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | - |
| 封装/外壳: | SC-70-6 |
| 输入电容(Ci): | 210pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 反向传输电容Crss: | 33pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 155mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 8nC |
| 晶体管类型: | 2个P沟道(双) |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.7255 |
| 包装：1 | 库存：0 |