NCE65T540F
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 击穿电压: | 650V |
| 功率耗散: | 31.6W |
| 阈值电压: | 4V@250µA |
| 额定功率: | 31.6W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 540mΩ@10V,4A |
| 包装: | Tube packing |
| 连续漏极电流: | 8A |
| 封装/外壳: | TO-220F |
| 栅极源极击穿电压: | ±30V |
| 反向传输电容Crss: | 0.9pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 22nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 输入电容: | 590pF |
| 漏源电压(Vdss): | 650V |
| 栅极电荷(Qg): | 22nC |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.5374 |
| 10+ | ¥3.5868 |
| 包装：1 | 库存：44 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.6413 |
| 包装：1 | 库存：1 |