2P50G-TN3-R
品牌
UTC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：41W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | UTC |
| 击穿电压: | -500 |
| 功率耗散: | 41W |
| 阈值电压: | 4V@250μA |
| 原始制造商: | Unisonic Technology Co., Ltd. |
| 额定功率: | 41W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 8.5Ω@10V,1A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 2A |
| 长x宽/尺寸: | 6.80 x 6.20mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 反向传输电容Crss: | 9 |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | 343pF |
| 漏源电压(Vdss): | 500V |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 类型: | 1个P沟道 |