VBK1270
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOT323
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 1.3V@250μA |
| 额定功率: | 2.8W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 60mΩ@2.5V,1.5A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 长x宽/尺寸: | 2.00 x 1.25mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-323 |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 4nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 高度: | 1.10mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.5424 |
| 10+ | ¥0.5085 |
| 50+ | ¥0.4577 |
| 150+ | ¥0.4238 |
| 300+ | ¥0.4000 |
| 500+ | ¥0.3899 |
| 包装：1 | 库存：0 |