VBK1270

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT-323

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:20V
功率耗散:1.56W
阈值电压:1.3V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:4A
长x宽/尺寸:2.00 x 1.25mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-323
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
Vgs(Max):±12V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻(RDS(on):48mΩ
高度:1.10mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
类型:1个N沟道
无库存